Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 69 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
DigiKey 零件編號	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - 切帶裝 (CT) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
說明	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 60 V 8 A (Ta) 27W (Tc) 表面黏著式 DPAK+
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 1mA
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 19 nC @ 10 V
系列 U-MOSVI	Vgs (最大值) +10V、-20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 890 pF @ 10 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 27W (Tc)
FET 類型 P 通道	工作溫度 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	供應商元件封裝 DPAK+
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 8 A (Ta)	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 6V、10V	基礎產品編號 TJ8S06
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 104mOhm @ 4A、10V

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替代品 (3)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
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