Name: TK12E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12E80WS1X-ND
Price: 207 TWD
Availability: OutOfStock

TK12E80W,S1X無存貨，但提供缺貨預定。

可用替代品:

相似

IPP60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

庫存現貨: 0

單價 : NT$0.00000

規格書

相似

IXFP14N60P

IXYS

庫存現貨: 0

單價 : NT$100.61000

規格書

相似

IXFP8N65X2

IXYS

庫存現貨: 0

單價 : NT$69.27333

規格書

相似

IXTP14N60PM

IXYS

庫存現貨: 0

單價 : NT$88.24667

規格書

相似

IXTP18N60PM

IXYS

庫存現貨: 0

單價 : NT$90.43333

相似

SIHP6N65E-GE3

Vishay Siliconix

庫存現貨: 0

單價 : NT$34.75900

規格書

相似

SIHP7N60E-GE3

Vishay Siliconix

庫存現貨: 1,068

單價 : NT$109.00000

規格書

相似

STP13N80K5

STMicroelectronics

庫存現貨: 1,174

單價 : NT$156.00000

規格書

查看並比較所有替代品

N 通道 800 V 11.5 A (Ta) 165W (Tc) 通孔式 TO-220

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TK12E80W,S1X
DigiKey 零件編號	TK12E80WS1X-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TK12E80W,S1X
說明	MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 800 V 11.5 A (Ta) 165W (Tc) 通孔式 TO-220
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TK12E80W,S1X 型號

產品屬性

cms-filter-similar-products

cms-show-empty-attributes

Category 離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 570µA
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 23 nC @ 10 V
系列 DTMOSIV	Vgs (最大值) ±20V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1400 pF @ 300 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 165W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 150°C
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss) 800 V	供應商元件封裝 TO-220
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 11.5 A (Ta)	封裝／外殼 TO-220-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 TK12E80
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 450mOhm @ 5.8A、10V

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (8)

零件編號	製造商	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
IPP60R600P7XKSA1	Infineon Technologies	448-IPP60R600P7XKSA1-ND	NT$0.00000	相似
IXFP14N60P	IXYS	IXFP14N60P-ND	NT$100.61000	相似
IXFP8N65X2	IXYS	IXFP8N65X2-ND	NT$69.27333	相似
IXTP14N60PM	IXYS	IXTP14N60PM-ND	NT$88.24667	相似
IXTP18N60PM	IXYS	IXTP18N60PM-ND	NT$90.43333	相似