Name: TK9P65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9P65WRQTR-ND
Price: 42.5945 TWD
Availability: OutOfStock

TK9P65W,RQ可購買，但非長期存貨。

可用替代品:

相似

FCD600N60Z

onsemi

庫存現貨: 15,043

單價 : NT$109.00000

規格書

相似

IPD60R520C6BTMA1

Infineon Technologies

庫存現貨: 0

單價 : NT$0.00000

規格書

相似

IPD60R600C6BTMA1

Infineon Technologies

庫存現貨: 0

單價 : NT$0.00000

規格書

相似

IPD60R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

庫存現貨: 38,928

單價 : NT$42.00000

規格書

相似

IXFY8N65X2

IXYS

庫存現貨: 44

單價 : NT$154.00000

規格書

相似

IXTY8N65X2

IXYS

庫存現貨: 345

單價 : NT$169.00000

規格書

相似

STD10N60DM2

STMicroelectronics

庫存現貨: 0

單價 : NT$76.00000

規格書

查看並比較所有替代品

N 通道 650 V 9.3 A (Ta) 80W (Tc) 表面黏著式 DPAK

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TK9P65W,RQ
DigiKey 零件編號	TK9P65WRQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TK9P65W,RQ
說明	MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 9.3 A (Ta) 80W (Tc) 表面黏著式 DPAK
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TK9P65W,RQ 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 350µA
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 20 nC @ 10 V
系列 DTMOSIV	Vgs (最大值) ±30V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 700 pF @ 300 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 80W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	供應商元件封裝 DPAK
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 9.3 A (Ta)	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 TK9P65
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 560mOhm @ 4.6A、10V

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (7)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
FCD600N60Z	onsemi	15,043	FCD600N60ZCT-ND	NT$109.00000	相似
IPD60R520C6BTMA1	Infineon Technologies	0	IPD60R520C6BTMA1TR-ND	NT$0.00000	相似
IPD60R600C6BTMA1	Infineon Technologies	0	IPD60R600C6BTMA1TR-ND	NT$0.00000	相似
IPD60R600P7SAUMA1	Infineon Technologies	38,928	IPD60R600P7SAUMA1CT-ND	NT$42.00000	相似
IXFY8N65X2	IXYS	44	IXFY8N65X2-ND	NT$154.00000	相似