Name: TPN1R603PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1R603PLL1QTR-ND
Price: 54 TWD
Availability: InStock

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TPN1R603PL,L1Q
DigiKey 零件編號	TPN1R603PLL1QTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) TPN1R603PLL1QCT-ND - 切帶裝 (CT) TPN1R603PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TPN1R603PL,L1Q
說明	MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 80 A (Tc) 104W (Tc) 表面黏著式 8-TSON Advance (3.1x3.1)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TPN1R603PL,L1Q 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.1V @ 300µA
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 41 nC @ 10 V
系列 U-MOSIX-H	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3900 pF @ 15 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 104W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 175°C
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	供應商元件封裝 8-TSON Advance (3.1x3.1)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 80 A (Tc)	封裝／外殼 8-PowerVDFN
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	基礎產品編號 TPN1R603
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 1.6mOhm @ 40A、10V

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TPN1R603PL,L1Q