Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 40 TWD
Availability: InStock

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TPN4R712MD,L1Q
DigiKey 零件編號	TPN4R712MDL1QTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) TPN4R712MDL1QCT-ND - 切帶裝 (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TPN4R712MD,L1Q
說明	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 20 V 36 A (Tc) 42W (Tc) 表面黏著式 8-TSON Advance (3.1x3.1)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TPN4R712MD,L1Q 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	20 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	36 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	2.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	4.7mOhm @ 18A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1.2V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	65 nC @ 5 V
Vgs (最大值)	±12V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	4300 pF @ 10 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	42W (Tc)
工作溫度	150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	8-TSON Advance (3.1x3.1)
封裝／外殼	8-PowerVDFN
基礎產品編號	TPN4R712