Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 87 TWD
Availability: InStock

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TRS4E65H,S1Q
DigiKey 零件編號	264-TRS4E65H,S1Q-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TRS4E65H,S1Q
說明	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	二極體 650 V 4A 通孔式 TO-220-2L
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品二極體整流器單一二極體
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包裝	管裝
零件狀態	有源
技術	SiC (Silicon Carbide) Schottky
電壓 - DC 逆向 (Vr) (最大值)	650 V
電流 - 平均整流 (Io)	4A
電壓 - 順向 (Vf) (最大值) @ If	1.35 V @ 4 A
速度	無恢復時間 > 500mA (Io)
逆向復原時間 (trr)	0 ns
電流 - 逆向漏電 @ Vr	55 µA @ 650 V
電容值 @ Vr、頻率	263pF @ 1V、1MHz
安裝類型	通孔式
封裝／外殼	TO-220-2
供應商元件封裝	TO-220-2L
接面工作溫度	175°C