Name: TW015N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW015N120CS1F-ND
Price: 3070 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TW015N120C,S1F
DigiKey 零件編號	264-TW015N120CS1F-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TW015N120C,S1F
說明	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 1200 V 100 A (Tc) 431W (Tc) 通孔式 TO-247
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TW015N120C,S1F 型號

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 5V @ 11.7mA
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 158 nC @ 18 V
包裝管裝	Vgs (最大值) +25V、-10V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6000 pF @ 800 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 431W (Tc)
技術 SiCFET (碳化矽)	工作溫度 175°C
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200 V	安裝類型通孔式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 100 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-247
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 18V	封裝／外殼 TO-247-3
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 20mOhm @ 50A、18V

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TW015N120C,S1F