Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 646 TWD
Availability: OutOfStock

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TW083N65C,S1F
DigiKey 零件編號	264-TW083N65CS1F-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TW083N65C,S1F
說明	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) 通孔式 TO-247
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 5V @ 600µA
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 28 nC @ 18 V
包裝管裝	Vgs (最大值) +25V、-10V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 873 pF @ 400 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 111W (Tc)
技術 SiCFET (碳化矽)	工作溫度 175°C
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	安裝類型通孔式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 30 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-247
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 18V	封裝／外殼 TO-247-3
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 113mOhm @ 15A、18V