Name: XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN12006NCL1XHQTR-ND
Price: 68 TWD
Availability: InStock

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XPN12006NC,L1XHQ
DigiKey 零件編號	264-XPN12006NCL1XHQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-XPN12006NCL1XHQCT-ND - 切帶裝 (CT) 264-XPN12006NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	XPN12006NC,L1XHQ
說明	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
製造商的標準前置時間	52 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 60 V 20A 65W (Tc) 表面黏著式 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	XPN12006NC,L1XHQ 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 23 nC @ 10 V
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1100 pF @ 10 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 65W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C
技術 MOSFET (金氧)	等級汽車
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	資格 AEC-Q101
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 20A	安裝類型表面黏著式
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	供應商元件封裝 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 12mOhm @ 10A、10V	封裝／外殼 8-PowerVDFN
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 200µA	基礎產品編號 XPN12006

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XPN12006NC,L1XHQ