Name: XPN6R706NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND
Price: 56 TWD
Availability: InStock

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XPN6R706NC,L1XHQ
DigiKey 零件編號	264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-XPN6R706NCL1XHQCT-ND - 切帶裝 (CT) 264-XPN6R706NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	XPN6R706NC,L1XHQ
說明	MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 60 V 40 A (Ta) 840mW (Ta)、100W (Tc) 表面黏著式 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	XPN6R706NC,L1XHQ 型號

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 35 nC @ 10 V
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (最大值) ±20V
系列 U-MOSVIII-H	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2000 pF @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 840mW (Ta)、100W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 175°C
FET 類型 N 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 40 A (Ta)	供應商元件封裝 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 8-PowerVDFN
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 6.7mOhm @ 20A、10V	基礎產品編號 XPN6R706
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 300µA

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XPN6R706NC,L1XHQ