Name: XSM6J372NW,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XSM6J372NWLXHFTR-ND
Price: 14 TWD
Availability: OutOfStock

新產品

P 通道 30 V 6 A (Ta) 1.51W (Ta) 表面黏著、可沾濕測邊 DFN2020B

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XSM6J372NW,LXHF
DigiKey 零件編號	264-XSM6J372NWLXHFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-XSM6J372NWLXHFCT-ND - 切帶裝 (CT) 264-XSM6J372NWLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	XSM6J372NW,LXHF
說明	P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 30 V 6 A (Ta) 1.51W (Ta) 表面黏著、可沾濕測邊 DFN2020B
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 42mOhm @ 4A、10V
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (最大值) @ Id 1.2V @ 1mA
系列 U-MOSVI	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) +6V、-12V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 560 pF @ 15 V
FET 類型 P 通道	功率耗散 (最大值) 1.51W (Ta)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 150°C
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	安裝類型表面黏著、可沾濕測邊
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 6 A (Ta)	供應商元件封裝 DFN2020B
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.8V、10V	封裝／外殼 6-UDFN 裸焊盤