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EPC

- EPC 是增強模式氮化鎵架構電源管理元件的領導廠商。EPC 是第一個在應用中以增強模式氮化鎵矽晶 (eGaN®) FET 作為功率 MOSFET 替代品的廠商,例如 DC-DC 轉換器無線電力傳輸波封追蹤、RF 傳輸、電源逆變器遠端感測技術 (LiDAR)D 類音訊放大器,其效能比最佳的矽晶功率 MOSFET 高出許多倍。

GaN 用於 LiDAR

EPC 的 GaN 用於LiDAR 的圖片

EPC 的 Alex Lidow 說明為何 eGaN FET 與 IC 在驅動 LiDAR 雷射的優勢,以及為何固態及轉動 LiDAR 裝置適用於自主式車輛、機器人和飛行器。瞭解詳情

GaN IC

EPC 的 eGaN 積體電路閘極驅動器附加 FET 的圖片

採用 eGaN 技術製成的功率電晶體可在奈秒內切換。由 EPC 的 Alex Lidow 說明,在同一晶片上結合 eGaN 閘極驅動器與功率電晶體能簡化設計並降低電子電力的成本。瞭解詳情

48 V 至 12 V DC-DC 採用 GaN、更高效率、更小且更低成本

EPC 的 DC/DC 轉換的圖片

EPC9130 開發板是 500 kHz 切換頻率、48 V 標稱輸入電壓、60 A 最大輸出電流、5 相的中間匯流排轉換器 (IBC),具有板載微控制器和閘極驅動,以及 100 V EPC2045 增強模式 (eGaN®) 場效電晶體。瞭解詳情

Image of EPC's Wireless Power eGan Banner Image

精選產品

EPC 的 EPC9130 穩壓轉換器圖片

EPC9130 穩壓轉換器

EPC 的 EPC9130 展示板功率密度超過每立方英吋 1000 W,效率高於 96%。瞭解詳情

EPC 以 MOSFET 價位提供 GaN® 效能圖片

EPC 以 MOSFET 價位提供 GaN 效能

GaN 目前正處於快速成長的階段,這是由於採用此材料的半導體能為公司提供顯要效能和成本優勢。瞭解詳情

最新產品 查看全部 (38)

Image of EPC's EPC2051 100 V eGaN Power Transistor

EPC2051 100 V eGaN® 功率電晶體

EPC 的 EPC2051 100 V eGaN® 功率電晶體比相似的矽晶小 30 倍,並且在 500 kHz 時效率為 97%。

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Image of EPC EPC2202/EPC2203 GaN Chip-Scale AEC-Q101 Qualified FETs

EPC2202/EPC2203 GaN 晶片級 AEC-Q101 認證 FET

EPC 成功通過 AEC-Q101 認證,意味著汽車電子可以充分利用 eGaN 元件。

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Image of EPC EPC9129 Wireless Power Kit

EPC9129 無線電力套件

EPC 的 33 W 無線電力套件 EPC9129,附有 Class 4 發射器,搭配調節式 Category 5 AirFuel™ Alliance 相容元件。

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Image of EPC's EPC2050 Power Transistor

EPC2050 功率電晶體

EPC 的 EPC2050 僅 1.95 mm x 1.95 mm (3.72 mm2),能讓設計人員在小尺寸封裝中達到高效能。

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Image of EPC's EPC9205 GaN Power Module

EPC9205 GaN Power Module

EPC's EPC9205 GaN power module is designed for plug-and-play evaluation of the high performance gained with gallium nitride power integrated circuits.

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Image of EPC's EPC2112 and EPC2115 eGaN ICs

EPC2112/EPC2115 eGaN® IC

EPC 的 EPC2112/EPC2115 eGaN® IC 結合閘極驅動器,具有高頻 GaN FET,可達到更佳效率、縮減尺寸,並可降低成本。

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產品培訓單元 查看全部 (10)

917-1027-2-ND

eGaN® FET Reliability

Duration: 5 minutes

Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.

eGaN-based Eighth Brick Converter

eGaN-based Eighth Brick Converter

Duration: 5 minutes

Review of the design specifications of a 500 W 1/8th brick converter

917-EPC2100ENG-ND

eGaN Integrated GaN Power

Duration: 5 minutes

eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.

eGaN FETS

Driving eGaN FETs with the LM5113

Duration: 15 minutes

The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.

Featured Videos 查看全部 (50)

300 W GaN-Based Wirelessly Powered Smart Desk at CES 2018

A world with no power cords where you have the ability to place whatever you need on a single surface to charge AND power is here today!

發佈日期:2018-06-29

Why gate drivers are joining eGaN transistors on the same chip

Power transistors made with eGaN technology can switch in a nanosecond or less. The circuit necessary to drive these transistors tend involve a lot of parasitic elements that can contribute to ringing and other sub-optimum effects.

發佈日期:2018-06-18

How eGaN transistor technology improves lidar performance

EPC's Alex Lidow explains why eGaN excels at powering lidar lasers and why both solid-state and rotating lidar units will have roles in new robotics.

發佈日期:2018-04-12

Graphics-intensive applications benefit from power-dense eGaN dc/dc converters

As explained by EPC's Alex Lidow, the reference board is super small and hits 1,400 W/cubic inch with a 96% energy efficiency and a BOM cost of just six cents per watt.

發佈日期:2018-04-12

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