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EPC

- EPC 是增強模式氮化鎵架構電源管理元件的領導廠商。EPC 是第一個在應用中以增強模式氮化鎵矽晶 (eGaN®) FET 作為功率 MOSFET 替代品的廠商,例如 DC-DC 轉換器無線電力傳輸波封追蹤、RF 傳輸、電源逆變器遠端感測技術 (LiDAR)D 類音訊放大器,其效能比最佳的矽晶功率 MOSFET 高出許多倍。

GaN 用於 LiDAR

EPC 的 GaN 用於LiDAR 的圖片

EPC 的 Alex Lidow 說明為何 eGaN FET 與 IC 在驅動 LiDAR 雷射的優勢,以及為何固態及轉動 LiDAR 裝置適用於自主式車輛、機器人和飛行器。瞭解詳情

GaN IC

EPC 的 eGaN 積體電路閘極驅動器附加 FET 的圖片

採用 eGaN 技術製成的功率電晶體可在奈秒內切換。由 EPC 的 Alex Lidow 說明,在同一晶片上結合 eGaN 閘極驅動器與功率電晶體能簡化設計並降低電子電力的成本。瞭解詳情

48 V 至 12 V DC-DC 採用 GaN、更高效率、更小且更低成本

EPC 的 DC/DC 轉換的圖片

EPC9130 開發板是 500 kHz 切換頻率、48 V 標稱輸入電壓、60 A 最大輸出電流、5 相的中間匯流排轉換器 (IBC),具有板載微控制器和閘極驅動,以及 100 V EPC2045 增強模式 (eGaN®) 場效電晶體。瞭解詳情

Image of EPC's GaN Con Banner

精選產品

EPC 的 EPC2112 和 EPC2115 eGaN IC 圖片

EPC2112/EPC2115 eGaN® IC

EPC 的 EPC2112/EPC2115 eGaN® IC 結合閘極驅動器,具有高頻率的 GaN FET,可提升效率、縮減尺寸,並可降低成本。瞭解詳情

EPC 的 EPC9205 GaN 電源模組圖片

EPC9205 GaN 電源模組

EPC 的 EPC9205 GaN 電源模組設計,可針對採用氮化鎵電源 IC 時所獲得的高效能進行隨插即用的評估。瞭解詳情

最新產品 查看全部 (43)

Image of EPC's Automotive Grade EPC2206

Automotive Grade EPC2206 eGaN® FET

EPC’s successful AEC-Q101 qualification means automotive electronics can now take full advantage of the improved efficiency, speed, smaller size, and lower cost of eGaN devices.

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Image of EPC's EPC2106 Half Bridge

EPC2106 半橋

EPC 的 EPC2106 半橋可在小覆蓋區下達到高效率的電源轉換。

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Image of EPC's EPCDESIGNTOOL GaN FET Design Tool

EPCDESIGNTOOL 氮化鎵 (GaN) FET 設計工具

EPC 的 EPCDESIGNTOOL GaN FET 設計工具可用於菊鏈和電子遷移測試,並提供多種晶粒尺寸。

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Image of EPC's GaN Semiconductors

GaN 半導體

EPC 的 GaN 半導體設計專為共振無線電力轉移應用,能達到高效率的最終系統的快速進行設計。

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Image of Silicon Labs/EPC's Isolated Gate Driver Plus GaN FET Reference Designs

隔離式閘極驅動器 (包含 GaN FET 公版設計)

Silicon Lab 與 EPC 的合作,使設計人員能夠利用簡化 eGAN FET 評估流程的公版設計。

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Image of EPC's EPC2051 100 V eGaN Power Transistor

EPC2051 100 V eGaN® 功率電晶體

EPC 的 EPC2051 100 V eGaN® 功率電晶體比相似的矽晶小 30 倍,並且在 500 kHz 時效率為 97%。

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產品培訓單元 查看全部 (10)

917-1027-2-ND

eGaN® FET Reliability

Duration: 5 minutes

Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.

eGaN-based Eighth Brick Converter

eGaN-based Eighth Brick Converter

Duration: 5 minutes

Review of the design specifications of a 500 W 1/8th brick converter

917-EPC2100ENG-ND

eGaN Integrated GaN Power

Duration: 5 minutes

eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.

eGaN FETS

Driving eGaN FETs with the LM5113

Duration: 15 minutes

The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.

Featured Videos 查看全部 (51)

APEC 2017 Applications for GaN

In this video, Alex Lidow, CEO, takes a “walk through our booth,” showing eGaN FETs and ICs in a wide range of applications including EPC’s latest generation FETs for DC-DC conversion.

發佈日期:2019-01-14

300 W GaN-Based Wirelessly Powered Smart Desk at CES 2018

A world with no power cords where you have the ability to place whatever you need on a single surface to charge AND power is here today!

發佈日期:2018-06-29

Why gate drivers are joining eGaN transistors on the same chip

Power transistors made with eGaN technology can switch in a nanosecond or less. The circuit necessary to drive these transistors tend involve a lot of parasitic elements that can contribute to ringing and other sub-optimum effects.

發佈日期:2018-06-18

How eGaN transistor technology improves lidar performance

EPC's Alex Lidow explains why eGaN excels at powering lidar lasers and why both solid-state and rotating lidar units will have roles in new robotics.

發佈日期:2018-04-12

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