UnitedSiC

您採用矽元件中的 SiC 嗎？

電源效率和效能水準對於快速成長的應用領域 (如電動車、電池充電、可再生能源和資料中心) 的成功與否越發關鍵。此設計趨勢推動以 SiC 為基礎的寬帶隙元件的發展，這是替代矽的合理選擇。在這個分為六篇的「您採用矽元件中的 SiC 嗎？」文章中，UnitedSiC 工程副總裁 Anup Bhalla 博士概述為何 SiC FET 在眾多快速成長的應用中是正確的選擇，以及這些元件如何納入包括 MOSFET、超級接面、IGBT、GaN HEMT 的環境中。工程師將能透過這一系列文章，瞭解與功率電晶體和二極體相關的最重要品質因數，以及在進行涵蓋 SiC 元件的電源電路設計變更時應考慮的事項。

技術資訊

• 第 1 篇：SiC 的應用趨勢
• 第 2 篇：SiC 元件和封裝技術的現況
• 第 3 篇：SiC 在電動車 (EV) 功率轉換中的應用
• 第 4 篇：如何用 SiC 打造更佳 EV 牽引逆變器
• 第 5 篇：超高電壓 SiC 和超級疊接 (Supercascodes)
• 第 6 篇：在資料中心電源供應器和電信整流器中使用碳化矽 (SiC) FET