單一 FET、MOSFET

顯示

/ 1,328

製造商零件編號	現有數量	價格	系列	包裝	產品狀態	FET 類型	技術	汲極至源極電壓 (Vdss)	電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	Rds On (最大值) @ Id、Vgs	Vgs(th) (最大值) @ Id	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	Vgs (最大值)	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	FET 特點	功率耗散 (最大值)	工作溫度	等級	資格	安裝類型	供應商元件封裝	封裝／外殼
IMBF170R1K0M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Infineon Technologies	1,790 庫存現貨	1 : NT$159.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$57.69300 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	5.2 A (Tc)	12V、15V	1000mOhm @ 1A、15V	5.7V @ 1.1mA	5 nC @ 12 V	+20V、-10V	275 pF @ 1000 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-13	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
MSC750SMA170B SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Microchip Technology	125 庫存現貨	1 : NT$176.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	7 A (Tc)	20V	940mOhm @ 2.5A、20V	3.25V @ 100µA (典型)	11 nC @ 20 V	+23V、-10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
MSC750SMA170B4 TRANS SJT 1700V TO247-4 Microchip Technology	376 庫存現貨	1 : NT$181.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	7 A (Tc)	20V	940mOhm @ 2.5A、20V	3.25V @ 100µA (典型)	11 nC @ 20 V	+23V、-10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-4	TO-247-4
IMBF170R650M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Infineon Technologies	1,804 庫存現貨	1 : NT$183.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$70.51500 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	7.4 A (Tc)	12V、15V	650mOhm @ 1.5A、15V	5.7V @ 1.7mA	8 nC @ 12 V	+20V、-10V	422 pF @ 1000 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-13	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
IMBF170R450M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Infineon Technologies	2,366 庫存現貨	1 : NT$217.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$89.00700 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	9.8 A (Tc)	12V、15V	450mOhm @ 2A、15V	5.7V @ 2.5mA	11 nC @ 12 V	+20V、-10V	610 pF @ 1000 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-13	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
SCT2H12NZGC11 SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM Rohm Semiconductor	621 庫存現貨	1 : NT$223.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	3.7 A (Tc)	18V	1.5Ohm @ 1.1A、18V	4V @ 900µA	14 nC @ 18 V	+22V、-6V	184 pF @ 800 V	-	35W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-3PFM	TO-3PFM、SC-93-3
G3R160MT12J-TR 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF GeneSiC Semiconductor	660 庫存現貨	1 : NT$235.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$176.19875 編帶和捲軸封裝 (TR)	G3R™, LoRing™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	19 A (Tc)	15V、18V	180mOhm @ 10A、18V	2.7V @ 5mA	23 nC @ 15 V	+22V、-10V	724 pF @ 800 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	TO-263-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
IMBG65R040M2HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	916 庫存現貨	1 : NT$270.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$138.00100 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™ Gen 2	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	49 A (Tc)	15V、20V	49ミリオーム @ 22.9A、18V	5.6V @ 4.6mA	28 nC @ 18 V	+23V、-7V	997 pF @ 400 V	-	197W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-12	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
IMBG120R053M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 41A TO263 Infineon Technologies	2,181 庫存現貨	1 : NT$279.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$122.76500 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™ G2	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	41 A (Tc)	15V、18V	52.6ミリオーム @ 13.2A、18V	5.1V @ 4.1mA	30 nC @ 18 V	+23V、-10V	1010 pF @ 800 V	-	205W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-12	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
UF3C120400B7S SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7 onsemi	964 庫存現貨	1 : NT$280.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$135.58000 編帶和捲軸封裝 (TR)	-	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	1200 V	7.6 A (Tc)	12V	515mOhm @ 5A、12V	6V @ 10mA	22.5 nC @ 15 V	±25V	739 pF @ 800 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	D2PAK-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
C3M0160120J SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7 Wolfspeed, Inc.	2,004 庫存現貨	1 : NT$294.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	17 A (Tc)	15V	208mOhm @ 8.5A、15V	3.6V @ 2.33mA	24 nC @ 15 V	+15V、-4V	632 pF @ 1000 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	TO-263-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
UF3C170400K3S SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 onsemi	69,621 庫存現貨	1 : NT$295.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	1700 V	7.6 A (Tc)	12V	515mOhm @ 5A、12V	6V @ 10mA	27.5 nC @ 15 V	±25V	740 pF @ 100 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
SCT3120ALGC11 SICFET N-CH 650V 21A TO247N Rohm Semiconductor	3,858 庫存現貨	1 : NT$314.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	21 A (Tc)	18V	156mOhm @ 6.7A、18V	5.6V @ 3.33mA	38 nC @ 18 V	+22V、-4V	460 pF @ 500 V	-	103W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247N	TO-247-3
G3R60MT07K 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor	1,052 庫存現貨	1 : NT$336.00000 管裝	G3R™	管裝	有源	-	SiCFET (碳化矽)	750 V	-	-	-	-	-	+20V、-10V	-	-	-	-	-	-	通孔式	TO-247-4	TO-247-4
G3R75MT12D SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	2,046 庫存現貨	1 : NT$339.00000 管裝	G3R™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	41 A (Tc)	15V	90mOhm @ 20A、15V	2.69V @ 7.5mA	54 nC @ 15 V	+22V、-10V	1560 pF @ 800 V	-	207W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
UF3C170400B7S SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7 onsemi	5,220 庫存現貨	1 : NT$344.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$178.00500 編帶和捲軸封裝 (TR)	-	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	1700 V	7.6 A (Tc)	12V	515mOhm @ 5A、12V	6V @ 10mA	23.1 nC @ 15 V	±25V	734 pF @ 1200 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	D2PAK-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
G3R75MT12K SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4 GeneSiC Semiconductor	1,305 庫存現貨	1 : NT$348.00000 管裝	G3R™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	41 A (Tc)	15V	90mOhm @ 20A、15V	2.69V @ 7.5mA	54 nC @ 15 V	+22V、-10V	1560 pF @ 800 V	-	207W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-4	TO-247-4
AIMCQ120R060M1TXTMA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	237 庫存現貨	1 : NT$358.00000 切帶裝 (CT) 750 : NT$170.06533 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	44 A (Tc)	18V、20V	75mOhm @ 13A、20V	5.1V @ 4.3mA	32 nC @ 20 V	+25V、-10V	880 pF @ 800 V	-	259W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	汽車	AEC-Q101	表面黏著式	PG-HDSOP-22	22-PowerBSOP 模組
NVBG160N120SC1 SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK onsemi	1,212 庫存現貨	1 : NT$380.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$193.10375 編帶和捲軸封裝 (TR)	-	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	19.5 A (Tc)	20V	224mOhm @ 12A、20V	4、3V @ 2、5mA	33.8 nC @ 20 V	+25V、-15V	678 pF @ 800 V	-	136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	汽車	AEC-Q101	表面黏著式	D2PAK-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
C3M0060065J SICFET N-CH 650V 36A TO263-7 Wolfspeed, Inc.	2,773 庫存現貨	1 : NT$381.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	36 A (Tc)	15V	79mOhm @ 13.2A、15V	3.6V @ 5mA	46 nC @ 15 V	+15V、-4V	1020 pF @ 600 V	-	136W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	TO-263-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
SCT4062KW7HRTL 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	3,669 庫存現貨	1 : NT$388.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$276.42100 編帶和捲軸封裝 (TR)	-	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	24 A (Tc)	18V	81mOhm @ 12A、18V	4.8V @ 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V、-4V	1498 pF @ 800 V	-	93W	175°C (TJ)	汽車	AEC-Q101	表面黏著式	TO-263-7L	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
NTHL060N090SC1 SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 onsemi	2,653 庫存現貨 22,950 原廠	1 : NT$392.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	900 V	46 A (Tc)	15V	84mOhm @ 20A、15V	4.3V @ 5mA	87 nC @ 15 V	+19V、-10V	1770 pF @ 450 V	-	221W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
G3R160MT17D SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	622 庫存現貨	1 : NT$396.00000 管裝	G3R™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	21 A (Tc)	15V	208mOhm @ 12A、15V	2.7V @ 5mA	51 nC @ 15 V	±15V	1272 pF @ 1000 V	-	175W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
IMLT65R020M2HXTMA1 SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16 Infineon Technologies	1,499 庫存現貨	1 : NT$408.00000 切帶裝 (CT) 1,800 : NT$314.93278 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™ Gen 2	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	107 A (Tc)	15V、18V	24ミリオーム @ 46.9A、18V	5.6V @ 9.5mA	57 nC @ 18 V	+23V、-7V	2038 pF @ 400 V	-	454W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-HDSOP-16-6	16-PowerSOP 模組
IMW65R027M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	1,093 庫存現貨	1 : NT$412.00000 管裝	CoolSIC™ M1	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	47 A (Tc)	18V	34mOhm @ 38.3A、18V	5.7V @ 11mA	62 nC @ 18 V	+23V、-5V	2131 pF @ 400 V	-	189W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	PG-TO247-3-41	TO-247-3

顯示

/ 1,328

單一場效電晶體 (FET) 與金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 均屬於電晶體類型，可用於放大或切換電子訊號。

單一 FET 的運作方式是透過施加在閘極的電壓所產生的電場，控制源極與汲極之間的電流流動。FET 的主要優點是高輸入阻抗值，這使其非常適合用於訊號放大和類比電路。它們廣泛應用於電子電路中的放大器、振盪器、緩衝級等場合。

MOSFET 是 FET 的一個子類型，其閘極與通道之間由薄氧化層絕緣，可提升元件效能並使其高效率運作。MOSFET 可進一步分為兩類：

n 通道 MOSFET：以電子為主要載子。
p 通道 MOSFET：以電洞為主要載子。

MOSFET 因其低功耗、高速切換、處理大電流和電壓的能力，而在許多應用中受到青睞。它們在數位與類比電路中扮演關鍵角色，包括電源供應器、馬達驅動器、無線射頻應用。

MOSFET 的運作可分為兩種模式：

增強模式：在此模式下，當閘源電壓為零時，MOSFET 通常處於關斷狀態。需施加正閘源電壓 (對於 n 通道型) 或負閘源電壓 (對於 p 通道型) 才能導通。
空乏模式：在此模式下，當閘源電壓為零時，MOSFET 通常處於導通狀態。施加極性相反的閘源電壓即可將其關斷。

MOSFET 具有多種優勢，例如：

高效率：它們消耗的功率非常少，而且可以快速切換狀態，這使得它們對於電源管理應用來說非常有效率。
低導通電阻：導通時具有低電阻，可將功率損耗與熱生成降至最低。
高輸入阻抗：絕緣閘極結構使其具有極高輸入阻抗，非常適合高阻抗訊號放大應用。

總結來說，單一 FET，尤其是 MOSFET，是現代電子的重要元件，以其高效率、高速、多功能性著稱，應用範圍廣泛，從低功率訊號放大到高功率切換與控制皆適用。

單一 FET、MOSFET

單一 FET、MOSFET

資訊

說明

聯絡我們

追蹤消息