單一 FET、MOSFET

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製造商零件編號	現有數量	價格	系列	包裝	產品狀態	FET 類型	技術	汲極至源極電壓 (Vdss)	電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	Rds On (最大值) @ Id、Vgs	Vgs(th) (最大值) @ Id	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	Vgs (最大值)	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	FET 特點	功率耗散 (最大值)	工作溫度	等級	資格	安裝類型	供應商元件封裝	封裝／外殼
MSC750SMA170B SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Microchip Technology	1,276 庫存現貨	1 : NT$196.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	7 A (Tc)	20V	940mOhm @ 2.5A、20V	3.25V @ 100µA (典型)	11 nC @ 20 V	+23V、-10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
IMBF170R650M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Infineon Technologies	2,000 庫存現貨	1 : NT$220.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$82.41100 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	7.4 A (Tc)	12V、15V	650mOhm @ 1.5A、15V	5.7V @ 1.7mA	8 nC @ 12 V	+20V、-10V	422 pF @ 1000 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-13	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
C3M0350120D SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	2,135 庫存現貨	1 : NT$230.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	7.6 A (Tc)	15V	455mOhm @ 3.6A、15V	3.6V @ 1mA	19 nC @ 15 V	+15V、-4V	345 pF @ 1000 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
IMT65R060M2HXUMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	3,956 庫存現貨	1 : NT$239.00000 切帶裝 (CT) 2,000 : NT$87.89450 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	41.4A (Tc)	15V、20V	55mOhm @ 15.4A、20V	5.6V @ 3.1mA	19 nC @ 18 V	+23V、-7V	669 pF @ 400 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
IMBF170R450M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Infineon Technologies	1,515 庫存現貨	1 : NT$261.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$100.61200 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1700 V	9.8 A (Tc)	12V、15V	450mOhm @ 2A、15V	5.7V @ 2.5mA	11 nC @ 12 V	+20V、-10V	610 pF @ 1000 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-13	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
IMBG120R078M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 29A TO263 Infineon Technologies	917 庫存現貨	1 : NT$283.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$111.45300 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™ G2	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	29 A (Tc)	15V、18V	78.1ミリオーム @ 8.9A、18V	5.1V @ 2.8mA	20.6 nC @ 18 V	+23V、-10V	700 pF @ 800 V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-12	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
AIMBG120R160M1XTMA1 SICFET N-CH 1200V 17A TO-263 Infineon Technologies	3,470 庫存現貨	1 : NT$299.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$118.05000 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	17 A (Tc)	18V、20V	200mOhm @ 5A、20V	5.1V @ 1.6mA	14 nC @ 20 V	+23V、-5V	350 pF @ 800 V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	汽車	AEC-Q101	表面黏著式	PG-TO263-7-12	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
IMW120R090M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Infineon Technologies	121 庫存現貨	1 : NT$327.00000 管裝	CoolSiC™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	26 A (Tc)	15V、18V	117mOhm @ 8.5A、18V	5.7V @ 3.7mA	21 nC @ 18 V	+23V、-7V	707 pF @ 800 V	-	115W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	PG-TO247-3-41	TO-247-3
C3M0075120J SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Wolfspeed, Inc.	1,895 庫存現貨	1 : NT$342.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	30 A (Tc)	15V	90mOhm @ 20A、15V	4V @ 5mA	51 nC @ 15 V	+19V、-8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	D2PAK-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
C3M0075120D SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	241 庫存現貨	1 : NT$342.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	30 A (Tc)	15V	90mOhm @ 20A、15V	4V @ 5mA	54 nC @ 15 V	+19V、-8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
C3M0060065K SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	846 庫存現貨	1 : NT$347.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	37 A (Tc)	15V	79mOhm @ 13.2A、15V	3.6V @ 5mA	46 nC @ 15 V	+15V、-4V	1020 pF @ 600 V	-	150W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-4L	TO-247-4
C3M0075120K SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	1,257 庫存現貨	1 : NT$352.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	30 A (Tc)	15V	90mOhm @ 20A、15V	4V @ 5mA	51 nC @ 15 V	+19V、-8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-4L	TO-247-4
IMW120R060M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 Infineon Technologies	136 庫存現貨	1 : NT$387.00000 管裝	CoolSiC™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	36 A (Tc)	15V、18V	78mOhm @ 13A、18V	5.7V @ 5.6mA	31 nC @ 18 V	+23V、-7V	1060 pF @ 800 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMBG120R040M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 52A TO263 Infineon Technologies	3,761 庫存現貨	1 : NT$390.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$170.32200 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™ G2	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	52 A (Tc)	15V、18V	39.6ミリオーム @ 17.5A、18V	5.1V @ 5.5mA	39 nC @ 18 V	+23V、-10V	1310 pF @ 800 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TO263-7-12	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
AIMCQ120R060M1TXTMA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	354 庫存現貨	1 : NT$393.00000 切帶裝 (CT) 750 : NT$170.10133 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	44 A (Tc)	18V、20V	75mOhm @ 13A、20V	5.1V @ 4.3mA	32 nC @ 20 V	+25V、-10V	880 pF @ 800 V	-	259W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	汽車	AEC-Q101	表面黏著式	PG-HDSOP-22	22-PowerBSOP 模組
UF3C170400B7S SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7 onsemi	3,121 庫存現貨	1 : NT$409.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$179.38500 編帶和捲軸封裝 (TR)	-	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	1700 V	7.6 A (Tc)	12V	515mOhm @ 5A、12V	6V @ 10mA	23.1 nC @ 15 V	±25V	734 pF @ 1200 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	D2PAK-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
UF3C170400K3S SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 onsemi	65,146 庫存現貨	1 : NT$414.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	1700 V	7.6 A (Tc)	12V	515mOhm @ 5A、12V	6V @ 10mA	27.5 nC @ 15 V	±25V	740 pF @ 100 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
NTHL040N120M3S SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3 onsemi	3,982 庫存現貨 112,500 原廠	1 : NT$424.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	54 A (Tc)	18V	54mOhm @ 20A、18V	4.4V @ 10mA	75 nC @ 18 V	+22V、-10V	1700 pF @ 800 V	-	231W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
UJ4C075023K4S 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T onsemi	315 庫存現貨 12,600 原廠	1 : NT$444.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	750 V	66 A (Tc)	12V	29mOhm @ 40A、12V	6V @ 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1400 pF @ 400 V	-	306W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-4	TO-247-4
IMZC120R034M2HXKSA1 SICFET N-CH 1200V 55A TO247 Infineon Technologies	295 庫存現貨	1 : NT$451.00000 管裝	CoolSiC™ G2	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	55 A (Tc)	15V、18V	34mOhm @ 20A、18V	5.1V @ 6.4mA	45 nC @ 18 V	+23V、-7V	1510 pF @ 800 V	-	244W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	PG-TO247-4-17	TO-247-4
C3M0040120D 1200V 40MOHM SIC MOSFET Wolfspeed, Inc.	700 庫存現貨	1 : NT$467.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	66 A (Tc)	15V	53.5mOhm @ 33.3A、15V	3.6V @ 9.5mA	101 nC @ 15 V	+15V、-4V	2900 pF @ 1000 V	-	326W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
IMLT65R020M2HXTMA1 SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16 Infineon Technologies	883 庫存現貨	1 : NT$487.00000 切帶裝 (CT) 1,800 : NT$224.82556 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™ Gen 2	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	107 A (Tc)	15V、18V	24ミリオーム @ 46.9A、18V	5.6V @ 9.5mA	57 nC @ 18 V	+23V、-7V	2038 pF @ 400 V	-	454W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-HDSOP-16-6	16-PowerSOP 模組
IMT65R020M2HXUMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	715 庫存現貨	1 : NT$487.00000 切帶裝 (CT) 2,000 : NT$224.95100 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	105 A (Tc)	15V、20V	18mOhm @ 46.9A、20V	5.6V @ 9.5mA	57 nC @ 18 V	+23V、-7V	2038 pF @ 400 V	-	440W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
UJ4C075018K3S SICFET N-CH 750V 81A TO247-3 onsemi	3,422 庫存現貨	1 : NT$489.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	750 V	81 A (Tc)	-	23mOhm @ 20A、12V	6V @ 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1422 pF @ 100 V	-	385W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
AIMBG120R040M1XTMA1 SICFET N-CH 1200V 54A TO-263 Infineon Technologies	1,192 庫存現貨	1 : NT$490.00000 切帶裝 (CT) 1,000 : NT$224.40700 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	1200 V	54 A (Tc)	18V、20V	50mOhm @ 20A、20V	5.1V @ 6.4mA	43 nC @ 20 V	+25V、-10V	1264 pF @ 800 V	-	268W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	汽車	AEC-Q101	表面黏著式	PG-TO263-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA

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單一場效電晶體 (FET) 與金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 均屬於電晶體類型，可用於放大或切換電子訊號。

單一 FET 的運作方式是透過施加在閘極的電壓所產生的電場，控制源極與汲極之間的電流流動。FET 的主要優點是高輸入阻抗值，這使其非常適合用於訊號放大和類比電路。它們廣泛應用於電子電路中的放大器、振盪器、緩衝級等場合。

MOSFET 是 FET 的一個子類型，其閘極與通道之間由薄氧化層絕緣，可提升元件效能並使其高效率運作。MOSFET 可進一步分為兩類：

n 通道 MOSFET：以電子為主要載子。
p 通道 MOSFET：以電洞為主要載子。

MOSFET 因其低功耗、高速切換、處理大電流和電壓的能力，而在許多應用中受到青睞。它們在數位與類比電路中扮演關鍵角色，包括電源供應器、馬達驅動器、無線射頻應用。

MOSFET 的運作可分為兩種模式：

增強模式：在此模式下，當閘源電壓為零時，MOSFET 通常處於關斷狀態。需施加正閘源電壓 (對於 n 通道型) 或負閘源電壓 (對於 p 通道型) 才能導通。
空乏模式：在此模式下，當閘源電壓為零時，MOSFET 通常處於導通狀態。施加極性相反的閘源電壓即可將其關斷。

MOSFET 具有多種優勢，例如：

高效率：它們消耗的功率非常少，而且可以快速切換狀態，這使得它們對於電源管理應用來說非常有效率。
低導通電阻：導通時具有低電阻，可將功率損耗與熱生成降至最低。
高輸入阻抗：絕緣閘極結構使其具有極高輸入阻抗，非常適合高阻抗訊號放大應用。

總結來說，單一 FET，尤其是 MOSFET，是現代電子的重要元件，以其高效率、高速、多功能性著稱，應用範圍廣泛，從低功率訊號放大到高功率切換與控制皆適用。

單一 FET、MOSFET

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