Name: IMT65R060M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND
Price: 204 TWD
Availability: InStock

新產品

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IMT65R060M2HXUMA1
DigiKey 零件編號	448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IMT65R060M2HXUMA1
說明	SILICON CARBIDE MOSFET
製造商的標準前置時間	23 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 41.4A (Tc) 208W (Tc) 表面黏著式 PG-HSOF-8-2
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IMT65R060M2HXUMA1 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolSiC™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)	650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	41.4A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	15V、20V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	55mOhm @ 15.4A、20V
Vgs(th) (最大值) @ Id	5.6V @ 3.1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	19 nC @ 18 V
Vgs (最大值)	+23V、-7V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	669 pF @ 400 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	208W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-HSOF-8-2
封裝／外殼	8-PowerSFN