Name: IMT65R060M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND
Price: 277 TWD
Availability: OutOfStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IMT65R060M2HXUMA1
DigiKey 零件編號	448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IMT65R060M2HXUMA1
說明	SILICON CARBIDE MOSFET
製造商的標準前置時間	61 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 41.4A (Tc) 208W (Tc) 表面黏著式 PG-HSOF-8-2
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IMT65R060M2HXUMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 55mOhm @ 15.4A、20V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 5.6V @ 3.1mA
系列 CoolSiC™	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 19 nC @ 18 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) +23V、-7V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 669 pF @ 400 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 208W (Tc)
技術 SiCFET (碳化矽)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 41.4A (Tc)	供應商元件封裝 PG-HSOF-8-2
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 15V、20V	封裝／外殼 8-PowerSFN