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Vishay Semiconductor Diodes VS-SF50xA120 和 VS-SFxx0SA120 電源模組整合一個 SiC MOSFET 和一個軟體二極體，提供低的逆向回復電流。

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Vishay Intertechnology 推出四款 100 V Gen 2 溝槽式 MOS 阻障層肖特基 (TMBS®) 整流器模組，採用小巧的全絕緣型 SOT-227 封裝。

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Vishay Semiconductor VS-MPY038P120/VS-MPX075P120 MAACPAK 壓合式電源模組提高了中高頻應用的效率和可靠度。

Vishay VGSOT* 單線與雙線 ESD 保護二極體較前一代元件具備更高效率的散熱能力。

Vishay T15BxxA 和 T15BxxCA 表面黏著式 PAR 暫態電壓抑制器可節省電路板空間，同時降低汽車應用成本。

Vishay 這款表面黏著式標準型和 TMBS 型整流器提供節省空間、高效率的解決方案。

Vishay 碳化矽肖特基二極體非常適合在寬廣的溫度範圍內進行極端的高速硬切換。

Vishay VS-SCx 碳化矽肖特基能障二極體採用工藝極緻的薄晶圓技術製造。

Information from Vishay on improved thermal performance and efficiency high-current ratings to 9 A.

Vishay's soldering recommendations for power DFN packages.

Information on Vishay's surface-mount TMBS and standard rectifiers.

Vishay V6N3M103-M3/I 和 V6N3M103HM3/I TMBS® 型整流器採用帶有可潤濕側翼的薄型 DFN33A 封裝。

Vishay VS-SCx0BA120 碳化矽橋接模組採用先進的 SiC 肖特基二極體技術。

Vishay 1,200 V FRED Pt 第 7 代 Hyperfast 整流器提供低接面電容量和恢復時間。

SiC 合併 PIN 肖特基設計，可提供高電流能力和低損耗，提高切換式電源系統的效率和可靠性。

Vishay VETH100A1DD1 系列 ESD 保護二極體符合 OPEN Alliance 100Base-T1 和 1000Base-T1 規格。

Vishay 的第三代 1,200 V SiC 肖特基二極體具有較低的順向壓降、電容式充電、逆向漏電流。

Vishay 的碳化矽肖特基載流二極體幾乎沒有恢復尾段，也沒有切換損耗。

Vishay 採用 DFN3820A 封裝的 TVS 二極體可在 10/1,000 μs 時提供 600 W 的峰值脈衝功率，漏電流低至 1 μA。

Vishay 的 VS-VSUD505CW60、VS-VSUD510CW60 軟回復二極體比上一代元件的預期壽命更長。