EPC2051 100 V eGaN® 功率電晶體

EPC 的 EPC2051 比相似的矽晶小 30 倍,並且在 500 kHz 時效率為 97%

EPC 的 EPC2051 100 V eGaN 功率電晶體影像EPC 的 EPC2051 100 V eGaN 功率電晶體,具有 25 mΩ 最大 RDS(on) 和 37 A 脈衝輸出電流,提供高效率電源轉換,並採用小型的 1.1 mm2 覆蓋區。

儘管覆蓋區小,EPC2051 以 50 V 至 12 V 降壓轉換器操作,在 4 A 輸出、500 kHz 切換下可達到 97% 效率。此外,低成本的 EPC2051 以與矽晶 MOSFET 相似的價格,帶來 GaN FET 效能。納入此高效能、小尺寸、低成本優勢的應用包括 48 V 輸入電源轉換器,適用於運算與電信系統、LiDAR、LED 照明、以及 D 類音訊。

特點 應用
  • 高效率
    • DC/DC 轉換下 500 kHz 具有 97% 的效率
  • 小型覆蓋區
    • 低電感值、超小型、1.30 mm x 0.85 mm BGA 表面黏著鈍化晶片
  • DC/DC 電源轉換
  • 光達
  • LED 照明
  • D 類音訊

EPC2051 100 V eGaN® Power Transistor

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發佈日期: 2018-09-07