第 5 代 eGaN® FET

EPC 推出第五代產品，在效能層面上大幅躍進。最新一代技術將第四代 eGaN FET 尺寸減半，但效能提升三倍。如此可降低成本並提升效能，形成「良性循環」，在 eGaN FET 和 IC 以及老化的功率 MOSFET 之間擴大性價比差距。

特點

• 小型覆蓋區 - 效能大幅增進
  • 在 100 V 下，eGaN FET 的 R_DS(ON) x 晶粒面積，比起先進的矽 MOSFET，優勢是四倍
  • 在 200 V 下，此優勢會倍增至 16 倍
• 提升的效能指數 (FOM)
  • 最新一代的 eGaN FET 在 100 V 下提供的優勢是矽元件的四倍，在 200 V 下則提高至八倍，可在高頻電源轉換應用中提升切換效能
• 讓應用享受增高的效能
  • 在 100 V EPC2045 的範例中，電路採用 48 V 至 5 V 操作，切換頻率為 500 kHz，比起最佳的同等 MOSFET，功率損耗降低 30%，效率提升 2.5%