Infineon Technologies

2ED2182S06F 650 V 半橋式 MOSFET 和 IGBT 閘極驅動器

Infineon 的 650 V、2.5 A 大電流半橋式閘極驅動器 IC 以 DSO-8 封裝提供一個内建的靴帶式二極體

Infineon Technologies 的 2ED2182S06F 650 V 半橋式 MOSFET 和閘極驅動器的圖片Infineon 的 650 V 半橋式高速功率 MOSFET 和 IGBT 閘極驅動器在 DSO-8 封裝中具有典型 2.5 A 的流入及流出電流。該 MOSFET 是基於 Infineon 的 SOI 技術，具有出色的堅固性和耐受在 VS 引腳上的負暫態電壓雜訊的能力。此元件中沒有寄生性閘流管結構，這意味著在任何溫度或電壓條件下都沒有寄生的閂鎖效應。DSO-14 封裝的版本也以 2ED21824S06J 的零件編號提供。

功能
  • 最高 650 V 的工作電壓 (VS 節點)
  • 100 V 的負 VS 暫態耐受性
  • 内建超快速、低電阻的靴帶式二極體降低了 BOM 成本
  • 設計浮動通道用於自舉式操作
  • 具有内建失效時間的整合型擊穿保護功能
  • 最大電源電壓為 25 V
  • HIN 和 LIN 輸入邏輯
  • 兩個通道均具有獨立的欠壓鎖定 (UVLO) 能力
  • 200 ns 的傳播延遲
  • VS 引腳上的邏輯操作電壓高達 -11 V
  • -5 V 輸入上具有負電壓容差
  • 浮動通道可用於驅動高側組態中的 N 通道 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT
應用
  • 快速 EV 充電
  • 家電
  • 馬達控制與驅動
  • 電源管理 (SMPS) - 公版設計
  • 電動工具

2ED2182S06F 650 V Half-Bridge MOSFET and IGBT Gate Driver

圖片製造商零件編號說明驅動器數閘類型電壓 - 電源現有數量價格查看詳情
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC2ED2182S06FXUMA1IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC1IGBT、MOSFET (N 通道)10V ~ 20V169 - 即時供貨$64.00查看詳情
發佈日期： 2020-10-19

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