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GaN 功率電晶體
Infineon CoolGaN™ 高效常關型元件可實現更高等級的功率密度
Infineon CoolGaN 電晶體具有快速的開啟與關閉速度、最小的切換損耗、多種封裝選項。CoolGaN 已通過嚴格的標準驗證，效能超越業界標準，可大幅提升整體系統效能，同時降低系統成本並提升使用簡便性。
特點
- 60 V 至 120 V 增強模式電晶體
- 雙面和底面冷卻封裝選項
- 無逆向恢復電荷
- 逆向傳導能力
- 低閘極電荷，低輸出電荷
- 超越 JEDEC 標準
優勢
- 卓越的功率密度
- 最高效率
- 更佳的熱管理
- 極佳可靠性
- 降低物料清單成本
- 利用即用型參考板，加快產品上市時程
應用
- 音訊放大器
- 電池供電式工具
- 無人機
- 光電
- 機器人技術
- SMPS
- 電信基礎設施
- USB-C® 配接器與充電器
GaN Power Transistors
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGC090S20S1XTMA1 | 200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC | 0 - 即時供貨 | $189.00 | 查看詳情 |
|  | IGC033S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | 3137 - 即時供貨 | $156.00 | 查看詳情 |
| | IGC033S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | 3777 - 即時供貨 | $156.00 | 查看詳情 |
|  | IGB110S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | 3423 - 即時供貨 | $81.00 | 查看詳情 |
|  | IGB110S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | 4810 - 即時供貨 | $81.00 | 查看詳情 |
| | IGC019S06S1XTMA1 | GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN | 2400 - 即時供貨 | $156.00 | 查看詳情 |
| | IGC025S08S1XTMA1 | GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN | 7547 - 即時供貨 | $156.00 | 查看詳情 |
| | IGC037S12S1XTMA1 | GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN | 2095 - 即時供貨 | $156.00 | 查看詳情 |
| | IGB070S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN | 3047 - 即時供貨 | $114.00 | 查看詳情 |
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|  | EVAL7136U100VGANCTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7136U IGC033S10S1 | 24 - 即時供貨 | $5,140.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2025-07-22
台灣