Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 101 TWD
Availability: InStock

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IGB110S101XTMA1
DigiKey 零件編號	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IGB110S101XTMA1
說明	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
製造商的標準前置時間	25 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 9 A (Ta)、23 A (Tc) 2.5W (Ta)、15W (Tc) 表面黏著式 PG-VSON-4-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IGB110S101XTMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 11mOhm @ 10A、5V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.9V @ 3mA
系列 CoolGaN™	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.4 nC @ 5 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±6.5V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 340 pF @ 50 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 2.5W (Ta)、15W (Tc)
技術 GaNFET (氮化鎵)	工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 9 A (Ta)、23 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-VSON-4-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 5V	封裝／外殼 4-PowerVDFN