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優異的 GaN 效能
實現最高效率：Infineon 的 CoolGaN™ HEMT 和 EiceDRIVER™ 閘極驅動器
CoolGaN™ 是 Infineon 的 GaN 技術，品質無與倫比，並獲得 Infineon 內部製造的支援，以確保供應穩定性。CoolGaN™ 產品提供市面上最高的效率和功率密度，是需要卓越效能的應用的理想選擇。憑藉豐富的經驗和應用專業知識，Infineon 提供整個領域的創新產品解決方案，包括離散式系統解決方案、整合度高的系統解決方案。
為什麼選擇 Infineon 的 GaN？
完整的技術產品：
Si + SiC + GaN
最高品質標準：
業界最可靠的 GaN HEMT
供應穩定性：
內部製造
應用範圍：
工業、消費性、汽車
IP 佼佼者：
超過 650 項 GaN 特定專利
系統專業知識：
開關 + 驅動器 + 控制 IC
目標應用：
- 充電器／配接器
- 照明
- 伺服器
- 電信
- 電視／顯示器
- 太陽能
- 馬達驅動
選擇適合您的方案 – 離散或 IPS。
請核對圖表，看看您的下一款設計需要的是靈活的離散式解決方案，還是整合度高的系統。CoolGaN™ 產品可提供符合您要求的正確產品。
- 離散式
- 整合式
- 設計支援
離散式解決方案：CoolGaN™ 600 V GIT 增強模式 HEMT + EiceDRIVER™ 閘極驅動器 IC
Infineon 的 CoolGaN™ GIT HEMT 是高效率的氮化鎵電晶體技術，可在高達 600 V 的電壓範圍內進行電源轉換。Infineon 經由端對端的大量生產，使增強模式 (e-mode) 概念走向成熟。領先的品質可確保最高標準，並提供市面上所有 GaN HEMT 中最可靠、效能最出色的解決方案。
主要特點
- 高效能
- 頂部和底部冷卻 SMD 封裝
- 最高效率和功率密度
- 應用中的最佳熱行為
主要優勢
- 獨特的常關型概念解決方案
- 非常適合硬切換和軟切換
- 最佳化開啟和關閉
- 零逆向恢復 Qrr
- RDS(on) 移位耐受性
- 優異的 Vth 穩定性
- 最佳效能指數
- 經過實證，使用壽命更長
產品項目：
| 封裝 RDS(ON) | DSO-20-85 底部冷卻 |
DSO-20-87 頂部冷卻 |
HSOF-8-3 TO-Leadless |
LSON-8-1 DFN 8x8 |
TSON-8-3 ThinPAK 5x6 |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 mΩ | IGO60R070D1 | IGOT60R070D1 | IGT60R070D1 | IGLD60R070D1 | |
| 190 mΩ | IGLD60R190D1 | IGLR60R190D1 | |||
| 260 mΩ | IGLR60R260D1 | ||||
| 340 mΩ | IGLR60R340D1 |
閘極驅動解決方案：
Infineon 的 CoolGaN™ GIT 增強模式 HEMT 易於驅動。下載此白皮書，瞭解各種驅動解決方案，包括標準 RC 耦合驅動器和運用專用閘極驅動器 IC 的新型差動驅動概念。在半橋拓撲中，結合隔離式、非隔離式驅動器的混合配置可能是令人驚艷的替代方案。實際應用範例與電路線路圖讓此白皮書更加完善。
適用於 CoolGaN™ GIT 增強模式 HEMT 的標準閘極驅動器
| EiceDRIVER™ 系列 |
零件編號 | 輸出通道 | 技術和隔離等級 | 使用案例 | 封裝 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDi | 2EDF7275F | 2 通道 | 隔離式 | 功能性 | 驅動兩個 GaN (半橋、對角、並聯) | DSO-16 150mil |
| 2EDF8275F | ||||||
| 2EDF7275K | LGA-13 | |||||
| 2EDS7165H | 強化型 | DSO-16 300mil | ||||
| 2EDS8265H | ||||||
| 2EDR7259X | DSO-14 300mil | |||||
| 2EDR8259X | ||||||
| 2EDB7259Y | 單一保護 | DSO-14 150mil | ||||
| 2EDB8259Y | ||||||
| 1EDB | 1EDB7275F | 1 通道 | 隔離式 | 單一保護 | 驅動高側 GaN | DSO-8 150mil |
| 1EDB8275F | ||||||
| 1EDN-TDI | 1EDN7550B | 1 通道 | 真差動輸入 (TDI) | 非隔離式 | 驅動低側開爾文源極 GaN | SOT23 |
| 1EDN8550B | 6 引腳 | |||||
適用於 CoolGaN™ GIT 增強模式 HEMT 的專用閘極驅動器 IC
整合式 GaN：CoolGaN™ 整合式功率級 (IPS) 半橋和單開關
Infineon 的 CoolGaN™ 整合式功率級 (IPS) 結合了混合汲極嵌入式閘極注入電晶體 (HD-GIT) 結構的穩健性、Infineon 的精準整合 EiceDRIVER™ 閘極驅動器技術。這能帶來更小的實體覆蓋區、更高的功率密度和能效，使其成為矽半導體的絕佳替代品。Infineon 的 CoolGaN™ IPS 還具有更快的切換頻率、更高的設計靈活性等額外優勢。對於工程師而言，這等同於更節能的系統、更簡化的實作、更高的 PCB 空間利用率。
主要特點
- 數位輸入、電源輸出建構模塊
- 應用可設定的切換行為
- 非常準確、穩定的計時
- 熱增強型 8x8 mm QFN-28/21 封裝
主要優勢
- 透過數位 PWM 輸入，輕鬆驅動
- 低系統物料清單 (BOM)
- PCB 上可設定具有低電感值迴路的閘極路徑
- 短失效時間設定，可最大化系統效率
- 適合緊湊系統設計的小巧封裝
線上培訓：CoolGaN™ IPS 對高密度充電器和配接器的益處
CoolGaN™ IPS 提供半橋功率級配置 (140 mΩ - 500 mΩ 規格) 或單通道配置 (100 mΩ - 270 mΩ 規格)，並配有專用閘極驅動器，採用耐熱增強型 QFN (8x8mm) 封裝。
產品項目：
| 封裝 RDS(ON) | CoolGaN™ 半橋 | CoolGaN™ IPS 單開關 |
|---|---|---|
| 100 mΩ | IGI60F100A1L | |
| 140 mΩ | IGI60F1414A1L | IGI60F140A1L |
| 200 mΩ | IGI60F2020A1L | IGI60F200A1L |
| 270 mΩ | IGI60F2727A1L | IGI60F270A1L |
| 500 mΩ | IGI60F5050A1L |
設計支援
EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
採用 EiceDRIVER™ GaN 的高頻率半橋評估板。
EVAL_HB_GANIPS_G1
採用 IGI60F1414A1L 的高頻率 CoolGaN™ IPS 半橋 600 V 評估板。
EVAL_HB_PARALLELGAN
評估半橋配置中 CoolGaN™ 600 V HEMT 的並聯，用於更高功率的應用。
白皮書
線上培訓
MV CoolGan Discretes
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | FET 類型 | 技術 | 汲極至源極電壓 (Vdss) | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGC033S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 100 V | 6668 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGC037S12S1XTMA1 | GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 120 V | 1887 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGB110S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 100 V | 2676 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGB070S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 100 V | 2801 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGC025S08S1XTMA1 | GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 80 V | 1987 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGC033S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 100 V | 3061 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGC019S06S1XTMA1 | GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 60 V | 2348 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGB110S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 100 V | 4496 - 即時供貨 | 查看詳情 |
MV CoolGaN BDS
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | FET 類型 | 技術 | 汲極至源極電壓 (Vdss) | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 40 V | 3965 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 40 V | 3949 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGK080B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 35A 16WLBGA | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 40 V | 0 - 即時供貨 | 查看詳情 |
MV CoolGaN Boards
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 主要用途 | 輸出與類型 | 功率 - 輸出 | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | REFIBC1600WGANTOBO1 | EVAL BOARD FOR IGC033S10S1 | DC/DC 轉換器 | 1 隔離式輸出 | 1.6kW | 0 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | EVALMTR48V20AGANTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7126G IGC033S101 | 電源管理 | 馬達控制器／驅動器 | 否 | 1 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | EVAL7136U100VGANCTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7136U IGC033S10S1 | 電源管理 | 半橋驅動器 (內部 FET) | 否 | 22 - 即時供貨 | 查看詳情 |
HV CoolGaN Discretes
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | FET 類型 | 技術 | 汲極至源極電壓 (Vdss) | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGLT65R055B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 650 V | 2908 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGD70R500D2SAUMA1 | GANFET N-CH 700V 3.4A T0252-3 | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 700 V | 2558 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGD70R270D2SAUMA1 | GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3 | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 700 V | 2058 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGLT65R035D2ATMA1 | GANFET N-CH 650V 47A 16SOP | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 650 V | 283 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGLR70R270D2SXUMA1 | GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 700 V | 4015 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGLR65R270D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 650 V | 4312 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGLR65R200D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 650 V | 6615 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGLR70R140D2SXUMA1 | GANFET N-CH 700V 13A 8TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 700 V | 4392 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGLR65R140D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 650 V | 4075 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGLD65R140D2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 650 V | 2217 - 即時供貨 | 查看詳情 |
HV IGaN
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 輸出配置 | 應用 | 介面 | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGI60L1111B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | 半橋 | DC 馬達、一般用途 | PWM | 65 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGI60L5050B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | 半橋 | DC 馬達、一般用途 | PWM | 2945 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGI60L2727B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | 半橋 (3) | DC 馬達、DC-DC 轉換器 | PWM | 2483 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | IGI65D1414A3MSXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | 半橋 | AC 馬達、DC 馬達、DC-DC 轉換器、一般用途 | - | 2925 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGI60L1414B1MXUMA1 | IC HALF BRIDGE DRIVE | 半橋 | DC 馬達、一般用途 | - | 2930 - 即時供貨 | 查看詳情 |
HV GaN BDS
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | FET 類型 | 技術 | 汲極至源極電壓 (Vdss) | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| | IGLT65R055B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 650 V | 2908 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | IGLT65R110B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 14A 16SOP | N 通道 | GaNFET (氮化鎵) | 650 V | 1533 - 即時供貨 | 查看詳情 |
HV GaN EVAL BOARDS
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 類型 | 功能 | 嵌入式 | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EVAL2EDGANINV1KWTOBO1 | BOARD 2ED21064S06J IGT65R055D2 | 電源管理 | 馬達控制器／驅動器 | 有、MCU | 0 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | REF3K3WHFHDPSUTOBO1 | EVAL BOARD FOR IGT65R035D2 | AC/DC 轉換器 | 1 隔離式輸出 | 3.3kW | 4 - 即時供貨 | 查看詳情 |
Gate driver ICs for 650 V GaN HEMTs
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EDB7275FXUMA1 | DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 | 19684 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2EDB7259YXUMA1 | DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14 | 2037 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | 2EDR7259XXUMA1 | DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO14 | 887 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2EDR8259XXUMA1 | DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO14 | 2136 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2ED21814S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC | 2252 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2ED21834S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 12084 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | 2ED21844S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 6427 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2ED2183S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 12505 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2ED2182S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 0 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | 2ED2106S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC | 3794 - 即時供貨 | 查看詳情 |
Recommended EiceDRIVER gate driver ICs for GaN HEMTs up to 200 V
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | DigiKey 可編程 | 驅動配置 | 通道類型 | 現有數量 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EDN8511BXUSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | 未驗證 | 低端 | 單路 | 15776 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 1EDN7512BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 | 未驗證 | 低端 | 單路 | 0 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 1EDN7550BXTSA1 | IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 | 未驗證 | 高側、低側 | 單路 | 5830 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2EDN7524GXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON | 未驗證 | 低端 | 獨立 | 7756 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | 1EDN7511BXUSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | 未驗證 | 低端 | 單路 | 12034 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2EDN7534BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | 未驗證 | 低端 | 獨立 | 5045 - 即時供貨 | 查看詳情 |
| | 2EDN7534FXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC | 未驗證 | 低端 | 獨立 | 3224 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 2EDN7533BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | 未驗證 | 低端 | 獨立 | 2990 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 1EDN7512GXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON | 未驗證 | 低端 | 單路 | 4779 - 即時供貨 | 查看詳情 |
|  | 1EDN6550BXTSA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6 | 未驗證 | 高側、低側 | 單路 | 6413 - 即時供貨 | 查看詳情 |
