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優異的 GaN 效能
實現最高效率：Infineon 的 CoolGaN™ HEMT 和 EiceDRIVER™ 閘極驅動器
CoolGaN™ 是 Infineon 的 GaN 技術，品質無與倫比，並獲得 Infineon 內部製造的支援，以確保供應穩定性。CoolGaN™ 產品提供市面上最高的效率和功率密度，是需要卓越效能的應用的理想選擇。憑藉豐富的經驗和應用專業知識，Infineon 提供整個領域的創新產品解決方案，包括離散式系統解決方案、整合度高的系統解決方案。
為什麼選擇 Infineon 的 GaN？
完整的技術產品：
Si + SiC + GaN
最高品質標準：
業界最可靠的 GaN HEMT
供應穩定性：
內部製造
應用範圍：
工業、消費性、汽車
IP 佼佼者：
超過 650 項 GaN 特定專利
系統專業知識：
開關 + 驅動器 + 控制 IC
目標應用：
- 充電器／配接器
- 照明
- 伺服器
- 電信
- 電視／顯示器
- 太陽能
- 馬達驅動
選擇適合您的方案 – 離散或 IPS。
請核對圖表，看看您的下一款設計需要的是靈活的離散式解決方案，還是整合度高的系統。CoolGaN™ 產品可提供符合您要求的正確產品。
- 離散式
- 整合式
- 設計支援
離散式解決方案：CoolGaN™ 600 V GIT 增強模式 HEMT + EiceDRIVER™ 閘極驅動器 IC
Infineon 的 CoolGaN™ GIT HEMT 是高效率的氮化鎵電晶體技術，可在高達 600 V 的電壓範圍內進行電源轉換。Infineon 經由端對端的大量生產，使增強模式 (e-mode) 概念走向成熟。領先的品質可確保最高標準，並提供市面上所有 GaN HEMT 中最可靠、效能最出色的解決方案。
主要特點
- 高效能
- 頂部和底部冷卻 SMD 封裝
- 最高效率和功率密度
- 應用中的最佳熱行為
主要優勢
- 獨特的常關型概念解決方案
- 非常適合硬切換和軟切換
- 最佳化開啟和關閉
- 零逆向恢復 Qrr
- RDS(on) 移位耐受性
- 優異的 Vth 穩定性
- 最佳效能指數
- 經過實證，使用壽命更長
產品項目：
| 封裝 RDS(ON) | DSO-20-85 底部冷卻 |
DSO-20-87 頂部冷卻 |
HSOF-8-3 TO-Leadless |
LSON-8-1 DFN 8x8 |
TSON-8-3 ThinPAK 5x6 |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 mΩ | IGO60R070D1 | IGOT60R070D1 | IGT60R070D1 | IGLD60R070D1 | |
| 190 mΩ | IGLD60R190D1 | IGLR60R190D1 | |||
| 260 mΩ | IGLR60R260D1 | ||||
| 340 mΩ | IGLR60R340D1 |
閘極驅動解決方案：
Infineon 的 CoolGaN™ GIT 增強模式 HEMT 易於驅動。下載此白皮書，瞭解各種驅動解決方案，包括標準 RC 耦合驅動器和運用專用閘極驅動器 IC 的新型差動驅動概念。在半橋拓撲中，結合隔離式、非隔離式驅動器的混合配置可能是令人驚艷的替代方案。實際應用範例與電路線路圖讓此白皮書更加完善。
適用於 CoolGaN™ GIT 增強模式 HEMT 的標準閘極驅動器
| EiceDRIVER™ 系列 |
零件編號 | 輸出通道 | 技術和隔離等級 | 使用案例 | 封裝 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDi | 2EDF7275F | 2 通道 | 隔離式 | 功能性 | 驅動兩個 GaN (半橋、對角、並聯) | DSO-16 150mil |
| 2EDF8275F | ||||||
| 2EDF7275K | LGA-13 | |||||
| 2EDS7165H | 強化型 | DSO-16 300mil | ||||
| 2EDS8265H | ||||||
| 2EDR7259X | DSO-14 300mil | |||||
| 2EDR8259X | ||||||
| 2EDB7259Y | 單一保護 | DSO-14 150mil | ||||
| 2EDB8259Y | ||||||
| 1EDB | 1EDB7275F | 1 通道 | 隔離式 | 單一保護 | 驅動高側 GaN | DSO-8 150mil |
| 1EDB8275F | ||||||
| 1EDN-TDI | 1EDN7550B | 1 通道 | 真差動輸入 (TDI) | 非隔離式 | 驅動低側開爾文源極 GaN | SOT23 |
| 1EDN8550B | 6 引腳 | |||||
適用於 CoolGaN™ GIT 增強模式 HEMT 的專用閘極驅動器 IC
整合式 GaN：CoolGaN™ 整合式功率級 (IPS) 半橋和單開關
Infineon 的 CoolGaN™ 整合式功率級 (IPS) 結合了混合汲極嵌入式閘極注入電晶體 (HD-GIT) 結構的穩健性、Infineon 的精準整合 EiceDRIVER™ 閘極驅動器技術。這能帶來更小的實體覆蓋區、更高的功率密度和能效，使其成為矽半導體的絕佳替代品。Infineon 的 CoolGaN™ IPS 還具有更快的切換頻率、更高的設計靈活性等額外優勢。對於工程師而言，這等同於更節能的系統、更簡化的實作、更高的 PCB 空間利用率。
主要特點
- 數位輸入、電源輸出建構模塊
- 應用可設定的切換行為
- 非常準確、穩定的計時
- 熱增強型 8x8 mm QFN-28/21 封裝
主要優勢
- 透過數位 PWM 輸入，輕鬆驅動
- 低系統物料清單 (BOM)
- PCB 上可設定具有低電感值迴路的閘極路徑
- 短失效時間設定，可最大化系統效率
- 適合緊湊系統設計的小巧封裝
線上培訓：CoolGaN™ IPS 對高密度充電器和配接器的益處
CoolGaN™ IPS 提供半橋功率級配置 (140 mΩ - 500 mΩ 規格) 或單通道配置 (100 mΩ - 270 mΩ 規格)，並配有專用閘極驅動器，採用耐熱增強型 QFN (8x8mm) 封裝。
產品項目：
| 封裝 RDS(ON) | CoolGaN™ 半橋 | CoolGaN™ IPS 單開關 |
|---|---|---|
| 100 mΩ | IGI60F100A1L | |
| 140 mΩ | IGI60F1414A1L | IGI60F140A1L |
| 200 mΩ | IGI60F2020A1L | IGI60F200A1L |
| 270 mΩ | IGI60F2727A1L | IGI60F270A1L |
| 500 mΩ | IGI60F5050A1L |
設計支援
EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
採用 EiceDRIVER™ GaN 的高頻率半橋評估板。
EVAL_HB_GANIPS_G1
採用 IGI60F1414A1L 的高頻率 CoolGaN™ IPS 半橋 600 V 評估板。
EVAL_HB_PARALLELGAN
評估半橋配置中 CoolGaN™ 600 V HEMT 的並聯，用於更高功率的應用。
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