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新一代 SiC 肖特基能障二極體
Microsemi 的肖特基能障二極體產品非常適合電化應用
Microsemi 推出 1200 V、10 A 和 20 A 的 SiC 肖特基能障二極體產品，也即將推出 30 A 和 50 A SiC 二極體。Microsemi 的 SiC 二極體與其他 SiC 競品相比，突崩能量／UIS 等級更高，具有持續性的高突波電流耐用度，以及固有比 Si 二極體更高的 SiC 效率和系統成本優勢，因此非常適合電化應用，例如高電壓 HEV/EV 充電站模組、板載充電器、DC-DC 轉換器、能量復原系統，以及切換式電源供應器的 PFC 和輸出整流。
SiC SBD 相較於 Si 二極體的優勢
- 在更高電壓下 (> 650 V) 更有效率，且切換頻率更高
- 更低的順向電壓 (VF)，可降低靜電損耗並提升能效
- 在硬切換期間，僅有低 EMI，且幾乎無逆向復原電荷 (Qrr)
- 可在更高溫度下 (+ 175°C) 穩定操作
- 在相同實體尺寸下，功率輸出提升超過 25%，具有系統效率並可降低成本 (較小的磁鐵和濾波元件、較少散熱／散熱片成本等)
Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 電流 - 平均整流 (Io) | 電壓 - 順向 (Vf) (最大值) @ If | 速度 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MSC010SDA070K | DIODE SIL CARB 700V 10A TO220-2 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 無恢復時間 > 500mA (Io) | 399 - 即時供貨 | $71.00 | 查看詳情 |
| | MSC030SDA070K | DIODE SIL CARB 700V 30A TO220-2 | 30A | 1.5 V @ 30 A | 無恢復時間 > 500mA (Io) | 84 - 即時供貨 | $144.00 | 查看詳情 |
|  | MSC050SDA070B | DIODE SIL CARBIDE 700V 50A TO247 | 50A | 1.5 V @ 50 A | 無恢復時間 > 500mA (Io) | 23 - 即時供貨 | $259.00 | 查看詳情 |
| | MSC010SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 無恢復時間 > 500mA (Io) | 900 - 即時供貨 | $157.00 | 查看詳情 |
| | MSC010SDA120K | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 無恢復時間 > 500mA (Io) | 123 - 即時供貨 | $145.00 | 查看詳情 |
| | MSC015SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 15A TO247 | 15A | 1.5 V @ 15 A | 無恢復時間 > 500mA (Io) | 7 - 即時供貨 | $220.00 | 查看詳情 |
| | MSC020SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 49A TO247 | 49A | 1.8 V @ 20 A | 無恢復時間 > 500mA (Io) | 25 - 即時供貨 | $360.00 | 查看詳情 |
| | MSC030SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 30A TO247 | 30A | 1.5 V @ 30 A | 無恢復時間 > 500mA (Io) | 716 - 即時供貨 | $348.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2017-12-07
台灣