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650 V 碳化矽肖特基二極體
SMC Diode Solutions 的 650 V 碳化矽肖特基二極體，能提供優異的效率並降低系統成本
SMC Diode Solutions 的 SICR5650、SICRB5650、SICRD5650，以及 SICRF5650 皆為單晶碳化矽肖特基整流器，採用 TO-220AC、D2PAK、DPAK，以及 ITO-220AC 外殼。此系列元件為高電壓肖特基整流器，在極端溫度下，具有極低的總傳導損耗和非常穩定的切換特性。此系列非常適合嚴峻環境中的能源敏感、高頻率應用。
SICR6650、SICRB6650、SICRD6650，以及 SICRF6650 皆為單晶碳化矽肖特基整流器，採用 TO-220AC、D2PAK、DPAK，以及 ITO-220AC 外殼。此系列元件為高電壓肖特基整流器，在極端溫度下，具有極低的總傳導損耗和非常穩定的切換特性。SICR6650、SICRB6650、SICRD6650，以及 SICRF6650 非常適合嚴峻環境中的能源敏感、高頻率應用。
SICR10650 和 SICRF10650 皆為單晶碳化矽肖特基整流器，採用 TO-220AC 及 ITO-220AC 外殼。此系列元件為高電壓肖特基整流器，在極端溫度下，具有極低的總傳導損耗和非常穩定的切換特性。SICR12600 及 SICRF12600 非常適合嚴峻環境中的能源敏感、高頻率應用。
| 特點 | ||
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650 V Silicon Carbide Schottky Diodes
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 電壓 - 順向 (Vf) (最大值) @ If | 速度 | 電容值 @ Vr、頻率 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SICR5650 | DIODE SIL CARB 650V 5A TO220AC | 1.7 V @ 5 A | 零復原時間 > 500mA (Io) | - | 158 - 即時供貨 | $85.00 | 查看詳情 |
|  | SICRF5650 | DIODE SIL CARB 650V 5A ITO220AC | 1.7 V @ 5 A | 零復原時間 > 500mA (Io) | - | 224 - 即時供貨 | $80.00 | 查看詳情 |
| | SICRF6650 | DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC | 1.8 V @ 6 A | 零復原時間 > 500mA (Io) | 150pF @ 5V、1MHz | 231 - 即時供貨 | $80.00 | 查看詳情 |
| | SICR6650 | DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC | 1.8 V @ 6 A | 零復原時間 > 500mA (Io) | 150pF @ 5V、1MHz | 184 - 即時供貨 | $85.00 | 查看詳情 |
| | SICR10650 | DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC | 1.7 V @ 10 A | 零復原時間 > 500mA (Io) | 695pF @ 0V、1MHz | 168 - 即時供貨 | $111.00 | 查看詳情 |
| | SICRF10650 | DIODE SIL CARB 650V 10A ITO220AC | 1.7 V @ 10 A | 零復原時間 > 500mA (Io) | 695pF @ 0V、1MHz | 194 - 即時供貨 | $111.00 | 查看詳情 |
|  | SICR10650CT | DIODE SIL CARB 650V 5A TO220AB | 1.7 V @ 5 A | 零復原時間 > 500mA (Io) | - | 225 - 即時供貨 | $112.00 | 查看詳情 |
|  | SICRF10650CT | DIODE SIL CARB 650V 5A ITO220AB | 1.7 V @ 5 A | 零復原時間 > 500mA (Io) | - | 28 - 即時供貨 | $154.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2018-08-28
