Name: DMG6601LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6601LVT-7DITR-ND
Price: 14 TWD
Availability: InStock

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DMG6601LVT-7
DigiKey 零件編號	DMG6601LVT-7DITR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) DMG6601LVT-7DICT-ND - 切帶裝 (CT) DMG6601LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Diodes Incorporated
製造商零件編號	DMG6601LVT-7
說明	MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 3.8 A、2.5 A 850mW 表面黏著式 TSOT-26
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	DMG6601LVT-7 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Diodes Incorporated
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
技術	MOSFET (金氧)
配置	N 和 P 通道
FET 特點	邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss)	30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	3.8 A、2.5 A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	55mOhm @ 3.4A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	12.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	422pF @ 15V
功率 - 最大值	850mW
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	SOT-23-6 細型、TSOT-23-6
供應商元件封裝	TSOT-26
基礎產品編號	DMG6601

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