Name: DMG6602SVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6602SVT-7DITR-ND
Price: 13 TWD
Availability: InStock

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DMG6602SVT-7
DigiKey 零件編號	DMG6602SVT-7DITR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) DMG6602SVT-7DICT-ND - 切帶裝 (CT) DMG6602SVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Diodes Incorporated
製造商零件編號	DMG6602SVT-7
說明	MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 3.4 A、2.8 A 840mW 表面黏著式 TSOT-26
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Diodes Incorporated
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	不適用於新設計
技術	MOSFET (金氧)
配置	N 和 P 通道
FET 特點	邏輯位準閘、4.5V 驅動
汲極至源極電壓 (Vdss)	30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	3.4 A、2.8 A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	60mOhm @ 3.1A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	400pF @ 15V
功率 - 最大值	840mW
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	SOT-23-6 細型、TSOT-23-6
供應商元件封裝	TSOT-26
基礎產品編號	DMG6602

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