Name: BSC010NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 86 TWD
Availability: InStock

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BSC010NE2LSIATMA1
DigiKey 零件編號	BSC010NE2LSIATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BSC010NE2LSIATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) BSC010NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSC010NE2LSIATMA1
說明	MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 25 V 38 A (Ta)、100 A (Tc) 2.5W (Ta)、96W (Tc) 表面黏著式 PG-TDSON-8-7
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSC010NE2LSIATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 1.05mOhm @ 30A、10V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 250µA
系列 OptiMOS™	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 59 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態不適用於新設計	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4200 pF @ 12 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 2.5W (Ta)、96W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 25 V	供應商元件封裝 PG-TDSON-8-7
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 38 A (Ta)、100 A (Tc)	封裝／外殼 8-PowerTDFN
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	基礎產品編號 BSC010

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替代品 (2)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
CSD16401Q5	Texas Instruments	3,499	296-24525-1-ND	NT$29.61000	相似
PJQ5424_R2_00001	Panjit International Inc.	2,165	3757-PJQ5424_R2_00001CT-ND	NT$9.59000	相似