Name: BSC050NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC050NE2LSATMA1TR-ND
Price: 46 TWD
Availability: InStock

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BSC050NE2LSATMA1
DigiKey 零件編號	BSC050NE2LSATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BSC050NE2LSATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) BSC050NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSC050NE2LSATMA1
說明	MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
製造商的標準前置時間	61 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 25 V 39 A (Ta)、58 A (Tc) 2.5W (Ta)、28W (Tc) 表面黏著式 PG-TDSON-8-5
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSC050NE2LSATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 250µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 760 pF @ 12 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 2.5W (Ta)、28W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 25 V	供應商元件封裝 PG-TDSON-8-5
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 39 A (Ta)、58 A (Tc)	封裝／外殼 8-PowerTDFN
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	基礎產品編號 BSC050
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 5mOhm @ 30A、10V