Name: BSP129H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP129H6327XTSA1TR-ND
Price: 26 TWD
Availability: InStock

需要協助嗎？

意見回饋

關於 DigiKey 商城在 DigiKey.com 販售網站導航數位解決方案新聞室

說明與支援訂單狀態運費退貨和訂購問題

Chat 0080-185-4023 taiwan.support@digikey.com 共同瀏覽

BSP129H6327XTSA1
DigiKey 零件編號	BSP129H6327XTSA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BSP129H6327XTSA1CT-ND - 切帶裝 (CT) BSP129H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSP129H6327XTSA1
說明	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
製造商的標準前置時間	10 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道、空乏模式 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) 表面黏著式 PG-SOT223-4
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSP129H6327XTSA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	SIPMOS®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道、空乏模式
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	240 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	350mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	0V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	6Ohm @ 350mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1V @ 108µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	5.7 nC @ 5 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	108 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.8W (Ta)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-SOT223-4
封裝／外殼	TO-261-4、TO-261AA
基礎產品編號	BSP129

BSP129H6327XTSA1