Name: IGT65R045D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R045D2ATMA1TR-ND
Price: 360 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IGT65R045D2ATMA1
DigiKey 零件編號	448-IGT65R045D2ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IGT65R045D2ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IGT65R045D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IGT65R045D2ATMA1
說明	GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN
製造商的標準前置時間	27 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 38 A (Tc) 131W (Tc) 表面黏著式 PG-HSOF-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IGT65R045D2ATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 1.6V @ 3.3mA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6 nC @ 3 V
系列 CoolGaN™ G5	Vgs (最大值) -10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 430 pF @ 400 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 131W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 GaNFET (氮化鎵)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	供應商元件封裝 PG-HSOF-8
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 38 A (Tc)	封裝／外殼 8-PowerSFN
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 54mOhm @ 10A