Name: IMTA65R033M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND
Price: 409 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IMTA65R033M2HXTMA1
DigiKey 零件編號	448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMTA65R033M2HXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMTA65R033M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IMTA65R033M2HXTMA1
說明	SILICON CARBIDE MOSFET
製造商的標準前置時間	61 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 68 A (Tc) 315W (Tc) 表面黏著式 PG-LHSOF-4-1
規格書	規格書

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 30mOhm @ 27.9A、20V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 5.6V @ 5.7mA
系列 CoolSiC™	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 34 nC @ 18 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) +23V、-7V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1214 pF @ 400 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 315W (Tc)
技術 SiCFET (碳化矽)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 68 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-LHSOF-4-1
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 15V、20V	封裝／外殼 4-PowerLSFN