Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 1122 TWD
Availability: InStock

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SCTL90N65G2V
DigiKey 零件編號	497-SCTL90N65G2VTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - 切帶裝 (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	STMicroelectronics
製造商零件編號	SCTL90N65G2V
說明	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
製造商的標準前置時間	18 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) 表面黏著式 PowerFlat™ (8x8) HV
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SCTL90N65G2V 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 5V @ 1mA
製造商 STMicroelectronics	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 157 nC @ 18 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) +22V、-10V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3380 pF @ 400 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 935W (Tc)
技術 SiCFET (碳化矽)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 40 A (Tc)	供應商元件封裝 PowerFlat™ (8x8) HV
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 18V	封裝／外殼 4-PowerVDFN
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 24mOhm @ 40A、18V