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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
IMW65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | IMW65R027M1HXKSA1 |
說明 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
製造商的標準前置時間 | 23 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) 通孔式 PG-TO247-3-41 |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R027M1HXKSA1 型號 |
產品屬性
類型 | 說明 | 全選 |
|---|---|---|
類別 | ||
製造商 | ||
系列 | ||
包裝 | 管裝 | |
零件狀態 | 有源 | |
FET 類型 | ||
技術 | ||
汲極至源極電壓 (Vdss) | 650 V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | ||
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) | 18V | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 34mOhm @ 38.3A、18V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 5.7V @ 11mA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 62 nC @ 18 V | |
Vgs (最大值) | +23V、-5V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 2131 pF @ 400 V | |
FET 特點 | - | |
功率耗散 (最大值) | 189W (Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
等級 | - | |
資格 | - | |
安裝類型 | 通孔式 | |
供應商元件封裝 | PG-TO247-3-41 | |
封裝／外殼 | ||
基礎產品編號 |
現貨: 1,093
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數量
皆以 TWD 計價
管裝
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$412.00000 | NT$412 |
| 30 | NT$249.26667 | NT$7,478 |
| 120 | NT$213.68333 | NT$25,642 |
| 510 | NT$212.23529 | NT$108,240 |
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