Name: IPB60R099C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C6ATMA1TR-ND
Price: 295 TWD
Availability: InStock

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IPB60R099C6ATMA1
DigiKey 零件編號	IPB60R099C6ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPB60R099C6ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPB60R099C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB60R099C6ATMA1
說明	MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 600 V 37.9 A (Tc) 278W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB60R099C6ATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 1.21mA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 119 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ C6	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2660 pF @ 100 V
零件狀態不適用於新設計	功率耗散 (最大值) 278W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 600 V	供應商元件封裝 PG-TO263-3
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 37.9 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 IPB60R099
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 99mOhm @ 18.1A、10V

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替代品 (12)

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