Name: SIHB33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60E-GE3-ND
Price: 263 TWD
Availability: OutOfStock

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	-
包裝	管裝
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	600 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	33 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	99mOhm @ 16.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	3508 pF @ 100 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	278W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	TO-263 (D2PAK)
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	SIHB33

SIHB33N60E-GE3