Name: IPB60R125C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R125C6ATMA1TR-ND
Price: 247 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IPB60R125C6ATMA1
DigiKey 零件編號	IPB60R125C6ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPB60R125C6ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPB60R125C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB60R125C6ATMA1
說明	MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 600 V 30 A (Tc) 219W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB60R125C6ATMA1 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 960µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 96 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ C6	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2127 pF @ 100 V
零件狀態不適用於新設計	功率耗散 (最大值) 219W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 600 V	供應商元件封裝 PG-TO263-3
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 30 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 IPB60R125
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 125mOhm @ 14.5A、10V

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (12)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
STB43N65M5	STMicroelectronics	3,415	497-16299-1-ND	NT$361.00000	直接
FCB110N65F	onsemi	651	FCB110N65FCT-ND	NT$297.00000	相似
SIHB33N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB33N60E-GE3-ND	NT$261.00000	相似
STB26NM60N	STMicroelectronics	1,777	497-10985-1-ND	NT$299.00000	相似
STB28NM60ND	STMicroelectronics	1,427	497-14238-1-ND	NT$267.00000	相似