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IPD180N10N3GBTMA1無存貨，且無法缺貨預定。
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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
IPD180N10N3GBTMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | IPD180N10N3GBTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) |
製造商 | |
製造商零件編號 | IPD180N10N3GBTMA1 |
說明 | MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 100 V 43 A (Tc) 71W (Tc) 表面黏著式 PG-TO252-3 |
規格書 | 規格書 |
產品屬性
類型 | 說明 | 全選 |
|---|---|---|
類別 | ||
製造商 | ||
系列 | ||
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) | |
零件狀態 | Digi-Key 停止供應 | |
FET 類型 | ||
技術 | ||
汲極至源極電壓 (Vdss) | 100 V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | ||
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) | 6V、10V | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 18mOhm @ 33A、10V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 3.5V @ 33µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (最大值) | ±20V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1800 pF @ 50 V | |
FET 特點 | - | |
功率耗散 (最大值) | 71W (Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
等級 | - | |
資格 | - | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
供應商元件封裝 | PG-TO252-3 | |
封裝／外殼 | ||
基礎產品編號 |
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台灣