Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 174 TWD
Availability: InStock

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IPT015N10NF2SATMA1
DigiKey 零件編號	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPT015N10NF2SATMA1
說明	MOSFET
製造商的標準前置時間	17 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 35A (Ta)、315A (Tc) 3.8W (Ta)、300W (Tc) 表面黏著式 PG-HSOF-8-10
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPT015N10NF2SATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 1.5mOhm @ 150A、10V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.8V @ 267µA
系列 StrongIRFET™ 2	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 242 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 11000 pF @ 50 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 3.8W (Ta)、300W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 35A (Ta)、315A (Tc)	供應商元件封裝 PG-HSOF-8-10
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 6V、10V	封裝／外殼 8-PowerSFN