Name: ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND
Price: 159 TWD
Availability: InStock

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ISG0614N06NM5HATMA1
DigiKey 零件編號	448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	ISG0614N06NM5HATMA1
說明	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
製造商的標準前置時間	18 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 60V 31A (Ta)、233A (Tc) 3W (Ta)、167W (Tc) 表面黏著式 PG-VITFN-10-1
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	ISG0614N06NM5HATMA1 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 5
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
技術	MOSFET (金氧)
配置	兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	31A (Ta)、233A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	1.6mOhm @ 50A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3.3V @ 86µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	102nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	6400pF @ 30V
功率 - 最大值	3W (Ta)、167W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	10-PowerVDFN
供應商元件封裝	PG-VITFN-10-1