Name: ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND
Price: 219 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

ISG0614N06NM5HATMA1
DigiKey 零件編號	448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	ISG0614N06NM5HATMA1
說明	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
製造商的標準前置時間	25 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 60V 31A (Ta)、233A (Tc) 3W (Ta)、167W (Tc) 表面黏著式 PG-VITFN-10-1
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	ISG0614N06NM5HATMA1 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 1.6mOhm @ 50A、10V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.3V @ 86µA
系列 OptiMOS™ 5	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 102nC @ 10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6400pF @ 30V
零件狀態有源	功率 - 最大值 3W (Ta)、167W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
配置兩個 N 通道 (半橋)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V	封裝／外殼 10-PowerVDFN
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 31A (Ta)、233A (Tc)	供應商元件封裝 PG-VITFN-10-1