Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 252 TWD
Availability: OutOfStock

MOSFET - 陣列 100V 19A (Ta)、139A (Tc) 3W (Ta)、167W (Tc) 表面黏著式 PG-WHITFN-10-1

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ISG0616N10NM5HSCATMA1
DigiKey 零件編號	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	ISG0616N10NM5HSCATMA1
說明	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
製造商的標準前置時間	48 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 100V 19A (Ta)、139A (Tc) 3W (Ta)、167W (Tc) 表面黏著式 PG-WHITFN-10-1
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 4mOhm @ 50A、10V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.8V @ 85µA
系列 OptiMOS™ 5	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 78nC @ 10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4800pF @ 50V
零件狀態有源	功率 - 最大值 3W (Ta)、167W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
配置兩個 N 通道 (半橋)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 100V	封裝／外殼 10-PowerWDFN
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 19A (Ta)、139A (Tc)	供應商元件封裝 PG-WHITFN-10-1