Name: IXTA1R6N100D2HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1R6N100D2HV-ND
Price: 275 TWD
Availability: InStock

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4.5V @ 100µA
製造商 IXYS	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 27 nC @ 5 V
系列 Depletion	Vgs (最大值) ±20V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 645 pF @ 10 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 100W (Tc)
FET 類型 N 通道、空乏模式	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 1000 V	供應商元件封裝 TO-263HV
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1.6 A (Tj)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 0V	基礎產品編號 IXTA1
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 10Ohm @ 800mA、0V