NP80N06PLG-E1B-AY Renesas Electronics Corporation | 離散式半導體產品

NP80N06PLG-E1B-AY
DigiKey 零件編號	NP80N06PLG-E1B-AYTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Renesas Electronics Corporation
製造商零件編號	NP80N06PLG-E1B-AY
說明	MOSFET N-CH 60V 80A TO263
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 60 V 80 A (Tc) 1.8W (Ta)、115W (Tc) 表面黏著式 TO-263
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	NP80N06PLG-E1B-AY 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Renesas Electronics Corporation
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	60 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	80 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	8.3mOhm @ 40A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	6900 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.8W (Ta)、115W (Tc)
工作溫度	175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	TO-263
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB