Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 93 TWD
Availability: InStock

新產品

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TPM1R908QM,LQ
DigiKey 零件編號	264-TPM1R908QMLQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - 切帶裝 (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TPM1R908QM,LQ
說明	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 80 V 26A (Ta)、238A (Tc) 3W (Ta)、250W (Tc) 表面黏著式 8-SOP Advance (4.9x5.75)
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSX-H
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	80 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	26A (Ta)、238A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	6V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	1.9mOhm @ 70A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3.5V @ 1.2mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	10500 pF @ 40 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3W (Ta)、250W (Tc)
工作溫度	175°C
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	8-SOP Advance (4.9x5.75)
封裝／外殼	8-PowerTDFN