N 通道 650 V 27 A (Tc) 111W (Tc) 表面黏著式 4-DFN-EP (8x8)
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N 通道 650 V 27 A (Tc) 111W (Tc) 表面黏著式 4-DFN-EP (8x8)
TW123V65C,LQ

TW092V65C,LQ

DigiKey 零件編號
264-TW092V65CLQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
264-TW092V65CLQCT-ND - 切帶裝 (CT)
264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號
TW092V65C,LQ
說明
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
製造商的標準前置時間
24 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 650 V 27 A (Tc) 111W (Tc) 表面黏著式 4-DFN-EP (8x8)
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
27 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
18V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
136mOhm @ 15A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 600µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (最大值)
+25V、-10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
873 pF @ 400 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
111W (Tc)
工作溫度
175°C
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
4-DFN-EP (8x8)
封裝／外殼
4-VSFN 裸焊盤
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數量
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切帶裝 (CT) & Digi-Reel®
數量 單價 總價
1NT$807.00000NT$807
10NT$582.00000NT$5,820
100NT$576.16000NT$57,616
* 所有的 Digi-Reel 訂單會加收一筆 NT$215 捲帶費用。
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
2,500NT$470.71800NT$1,176,795
製造商標準包裝
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