BAS19-HE3-18已停產，且不再生產。
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BAS19-HE3_A-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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單價 : NT$1.47020
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BAS19-E3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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單價 : NT$4.00000
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參數同等

BAS19-E3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
庫存現貨: 0
單價 : NT$0.88160
規格書

參數同等

BAS19-G3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
庫存現貨: 0
單價 : NT$0.94693
規格書

參數同等

BAS19-G3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
庫存現貨: 0
單價 : NT$1.20890
規格書

參數同等

BAS19
Diotec Semiconductor
庫存現貨: 2,680
單價 : NT$4.00000
規格書

參數同等

BAS19LT1G
onsemi
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單價 : NT$3.00000
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參數同等

BAS19LT3G
onsemi
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單價 : NT$3.00000
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參數同等

NSVBAS19LT1G
onsemi
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SOT-23
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BAS19-HE3-18

DigiKey 零件編號
BAS19-HE3-18-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
製造商零件編號
BAS19-HE3-18
說明
DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
客戶參考號碼
詳細說明
二極體 100 V 200mA 表面黏著式 SOT-23-3
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態
停產
技術
標準
電壓 - DC 逆向 (Vr) (最大值)
100 V
電流 - 平均整流 (Io)
200mA
電壓 - 順向 (Vf) (最大值) @ If
1.25 V @ 200 mA
速度
小訊號 =< 200mA (Io)、任意速度
逆向復原時間 (trr)
50 ns
電流 - 逆向漏電 @ Vr
100 nA @ 100 V
電容值 @ Vr、頻率
5pF @ 0V、1MHz
等級
汽車
資格
AEC-Q101
安裝類型
表面黏著式
封裝／外殼
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
供應商元件封裝
SOT-23-3
接面工作溫度
-55°C ~ 150°C
基礎產品編號
BAS19
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