IRF640PBF無存貨,但提供缺貨預定。
可用替代品:

直接


Vishay Siliconix
庫存現貨: 69
單價 : NT$134.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 0
單價 : NT$0.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 0
單價 : NT$28.52600
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 0
單價 : NT$25.41500
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 108
單價 : NT$94.00000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 27,224
單價 : NT$107.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 0
單價 : NT$0.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 1,491
單價 : NT$72.00000
規格書
N 通道 200 V 18 A (Tc) 125W (Tc) 通孔式 TO-220AB
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

IRF640PBF

DigiKey 零件編號
IRF640PBF-ND
製造商
製造商零件編號
IRF640PBF
說明
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
製造商的標準前置時間
28 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 200 V 18 A (Tc) 125W (Tc) 通孔式 TO-220AB
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
IRF640PBF 型號
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
製造商
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
70 nC @ 10 V
包裝
管裝
Vgs (最大值)
±20V
零件狀態
有源
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET 類型
功率耗散 (最大值)
125W (Tc)
技術
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss)
200 V
安裝類型
通孔式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
供應商元件封裝
TO-220AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
封裝/外殼
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
180mOhm @ 11A、10V
基礎產品編號
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (8)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
IRF640PBF-BE3Vishay Siliconix69742-IRF640PBF-BE3-NDNT$134.00000直接
FDP18N20Fonsemi0FDP18N20F-NDNT$0.00000相似
FQP19N20onsemi0FQP19N20FS-NDNT$28.52600相似
FQP19N20Consemi0FQP19N20C-NDNT$25.41500相似
IRF200B211Infineon Technologies108IRF200B211-NDNT$94.00000相似
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皆以 TWD 計價
管裝
數量 單價 總價
1NT$158.00000NT$158
50NT$80.66000NT$4,033
100NT$73.17000NT$7,317
500NT$60.04400NT$30,022
1,000NT$55.82700NT$55,827
2,000NT$52.28300NT$104,566
5,000NT$50.49180NT$252,459
製造商標準包裝
備註:若採用 DigiKey 加值服務,如產品購入數量少於標準包裝,其包裝類型可能與產品購買時不同。