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IRF640PBF | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | IRF640PBF-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | IRF640PBF |
說明 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
製造商的標準前置時間 | 28 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 200 V 18 A (Tc) 125W (Tc) 通孔式 TO-220AB |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | IRF640PBF 型號 |
產品屬性
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類別 | Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA |
製造商 | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 70 nC @ 10 V |
包裝 管裝 | Vgs (最大值) ±20V |
零件狀態 有源 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1300 pF @ 25 V |
FET 類型 | 功率耗散 (最大值) 125W (Tc) |
技術 | 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
汲極至源極電壓 (Vdss) 200 V | 安裝類型 通孔式 |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 供應商元件封裝 TO-220AB |
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V | 封裝/外殼 |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 180mOhm @ 11A、10V | 基礎產品編號 |
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替代品 (8)
| 零件編號 | 製造商 | 現有數量 | DigiKey 零件編號 | 單價 | 替代類型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640PBF-BE3 | Vishay Siliconix | 69 | 742-IRF640PBF-BE3-ND | NT$134.00000 | 直接 |
| FDP18N20F | onsemi | 0 | FDP18N20F-ND | NT$0.00000 | 相似 |
| FQP19N20 | onsemi | 0 | FQP19N20FS-ND | NT$28.52600 | 相似 |
| FQP19N20C | onsemi | 0 | FQP19N20C-ND | NT$25.41500 | 相似 |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | 108 | IRF200B211-ND | NT$94.00000 | 相似 |
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管裝
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$158.00000 | NT$158 |
| 50 | NT$80.66000 | NT$4,033 |
| 100 | NT$73.17000 | NT$7,317 |
| 500 | NT$60.04400 | NT$30,022 |
| 1,000 | NT$55.82700 | NT$55,827 |
| 2,000 | NT$52.28300 | NT$104,566 |
| 5,000 | NT$50.49180 | NT$252,459 |
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