IRLD024PBF Vishay Siliconix | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 18 nC @ 5 V
包裝管裝	Vgs (最大值) ±10V
零件狀態停產	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 870 pF @ 25 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 1.3W (Ta)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	安裝類型通孔式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2.5 A (Ta)	供應商元件封裝 4-HVMDIP
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4V、5V	封裝／外殼 4-DIP (0.300"、7.62mm)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 100mOhm @ 1.5A、5V	基礎產品編號 IRLD024

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IRLD024PBF