Name: SI2319CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2319CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 32 TWD
Availability: OutOfStock

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P 通道 40 V 4.4 A (Tc) 1.25W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)

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SI2319CDS-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SI2319CDS-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI2319CDS-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI2319CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI2319CDS-T1-GE3
說明	MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 40 V 4.4 A (Tc) 1.25W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI2319CDS-T1-GE3 型號

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 21 nC @ 10 V
系列 TrenchFET®	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 595 pF @ 20 V
零件狀態不適用於新設計	功率耗散 (最大值) 1.25W (Ta)、2.5W (Tc)
FET 類型 P 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 40 V	供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 4.4 A (Tc)	封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	基礎產品編號 SI2319
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 77mOhm @ 3.1A、10V

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替代品 (6)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
SI2319CDS-T1-BE3	Vishay Siliconix	293	742-SI2319CDS-T1-BE3CT-ND	NT$32.00000	直接
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