Name: SI4153DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND
Price: 45 TWD
Availability: InStock

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SI4153DY-T1-GE3
DigiKey 零件編號	742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI4153DY-T1-GE3
說明	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
製造商的標準前置時間	22 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 30 V 14.3A (Ta)、19.3A (Tc) 3.1W (Ta)、5.6W (Tc) 表面黏著式 8-SOIC
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI4153DY-T1-GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 9.5mOhm @ 10A、10V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
系列 TrenchFET® Gen III	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 93 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±25V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3600 pF @ 15 V
FET 類型 P 通道	功率耗散 (最大值) 3.1W (Ta)、5.6W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 14.3A (Ta)、19.3A (Tc)	供應商元件封裝 8-SOIC
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)

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