Name: SI4202DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4202DY-T1-GE3TR-ND
Price: 74 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SI4202DY-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SI4202DY-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI4202DY-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI4202DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI4202DY-T1-GE3
說明	MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
製造商的標準前置時間	38 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 12.1A 3.7W 表面黏著式 8-SOIC
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI4202DY-T1-GE3 型號

產品屬性

篩選類似產品

Category 離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 14mOhm @ 8A、10V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
系列 TrenchFET®	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 17nC @ 10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 710pF @ 15V
零件狀態有源	功率 - 最大值 3.7W
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
配置 2 N-通道 (雙)	安裝類型表面黏著式
FET 特點邏輯電平閘極	封裝／外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V	供應商元件封裝 8-SOIC
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 12.1A	基礎產品編號 SI4202